內(nèi)部基準(zhǔn)電壓16位24路SAR ADC高速模擬比較器
發(fā)布時(shí)間:2021/7/23 20:09:46 訪問次數(shù):390
EPC21603采用LVDS邏輯電路來控制，能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調(diào)制并實(shí)現(xiàn)高達(dá)10 A的激光驅(qū)動(dòng)電流。
EPC21603集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術(shù)的單芯片驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN®FET），采用芯片級BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。
LVDS邏輯控制允許通過FPGA來控制eToF激光驅(qū)動(dòng)集成電路，用于必需具備抗噪聲干擾能力的應(yīng)用，例如增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)。
MCU提供128KB SRAM用于數(shù)據(jù)處理和連接堆棧,超低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗和用于低功耗應(yīng)用的智能外設(shè).
先進(jìn)的LPI2C和LPSPI支持異步DMA主數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,用于靈活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶體的USB FS 2.0器件操作.
處理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高達(dá)72MHz,高速模式高達(dá)96MHz.
器件模擬模塊包括有內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的16位24路SAR ADC,兩個(gè)高速模擬比較器,每個(gè)包含6位DAC和可編程基準(zhǔn)輸入,一個(gè)12位DAC和1.2V與2.1V基準(zhǔn)電壓(Vref).
EPC21603采用LVDS邏輯電路來控制，能夠在超過100 MHz的超高頻率和低于2 ns的超短脈沖下，調(diào)制并實(shí)現(xiàn)高達(dá)10 A的激光驅(qū)動(dòng)電流。
EPC21603集成了基于EPC專有的氮化鎵IC技術(shù)的單芯片驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN®FET），采用芯片級BGA封裝，其外形尺寸僅為1.5 mm x 1.0 mm。
LVDS邏輯控制允許通過FPGA來控制eToF激光驅(qū)動(dòng)集成電路，用于必需具備抗噪聲干擾能力的應(yīng)用，例如增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)。
MCU提供128KB SRAM用于數(shù)據(jù)處理和連接堆棧,超低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗和用于低功耗應(yīng)用的智能外設(shè).
先進(jìn)的LPI2C和LPSPI支持異步DMA主數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換,用于靈活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶體的USB FS 2.0器件操作.
處理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高達(dá)72MHz,高速模式高達(dá)96MHz.
器件模擬模塊包括有內(nèi)部基準(zhǔn)電壓的16位24路SAR ADC,兩個(gè)高速模擬比較器,每個(gè)包含6位DAC和可編程基準(zhǔn)輸入,一個(gè)12位DAC和1.2V與2.1V基準(zhǔn)電壓(Vref).
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