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600V高壓起動單元保證快速充電和低待機功耗單電源工作

發(fā)布時間:2021/7/24 7:55:40 訪問次數(shù):211

CLT32系列電感器的尺寸僅為3.2 x 2.5 mm2,高度僅為2.5 mm,所需安裝空間還不到同類競品的四分之一。

其中關(guān)鍵因素是在PMIC拓?fù)渲锌赏瑫r使用多個該系列的功率電感器,從而顯著縮減PCB電路板尺寸。

除了尺寸,新系列還具有比競品明顯更好的電氣性能。例如,相比于薄膜或金屬復(fù)合技術(shù),CLT32系列的高頻交流電流損失明顯要低得多.

開關(guān)提供插入損耗0.5dB,處理LTE平均功率43dBm.器件有片上偏壓和匹配,單電源工作.

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這些處理器的供電電壓不超過1V,但要求電流達(dá)到兩位數(shù)大小。PMIC(電源管理IC)被用作電源,通過與多相輸出結(jié)合使用來提供所需的大電流。

600V高壓起動單元,保證了快速充電和低待機功耗,支持無負(fù)載待機功耗小于75mW.

器件可配置緩升和低落保護,可配置內(nèi)置軟起動,可配置突發(fā)模式進入和退出捎帶小量延遲的電流閾值,可配置過流保護,可配置輸出過壓保護,可配置開關(guān)頻率的抖動,可配置傳輸時延補償以得到精確的峰值電流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21無鹵素添加標(biāo)準(zhǔn).


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

CLT32系列電感器的尺寸僅為3.2 x 2.5 mm2,高度僅為2.5 mm,所需安裝空間還不到同類競品的四分之一。

其中關(guān)鍵因素是在PMIC拓?fù)渲锌赏瑫r使用多個該系列的功率電感器,從而顯著縮減PCB電路板尺寸。

除了尺寸,新系列還具有比競品明顯更好的電氣性能。例如,相比于薄膜或金屬復(fù)合技術(shù),CLT32系列的高頻交流電流損失明顯要低得多.

開關(guān)提供插入損耗0.5dB,處理LTE平均功率43dBm.器件有片上偏壓和匹配,單電源工作.

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這些處理器的供電電壓不超過1V,但要求電流達(dá)到兩位數(shù)大小。PMIC(電源管理IC)被用作電源,通過與多相輸出結(jié)合使用來提供所需的大電流。

600V高壓起動單元,保證了快速充電和低待機功耗,支持無負(fù)載待機功耗小于75mW.

器件可配置緩升和低落保護,可配置內(nèi)置軟起動,可配置突發(fā)模式進入和退出捎帶小量延遲的電流閾值,可配置過流保護,可配置輸出過壓保護,可配置開關(guān)頻率的抖動,可配置傳輸時延補償以得到精確的峰值電流控制, RoHS兼容,符合IEC61249-2-21無鹵素添加標(biāo)準(zhǔn).


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