帶有集成等離子體電離源防止錯(cuò)誤插接實(shí)現(xiàn)高針芯密度
發(fā)布時(shí)間:2021/7/25 22:38:55 訪問(wèn)次數(shù):164
Aston是一個(gè)創(chuàng)新型原位半導(dǎo)體計(jì)量平臺(tái),帶有集成等離子體電離源。Aston是半導(dǎo)體生產(chǎn)計(jì)量領(lǐng)域中的一次重大演變,實(shí)現(xiàn)了原位分子過(guò)程控制,使現(xiàn)有工廠運(yùn)行更高效,并可推動(dòng)產(chǎn)出提升。
開(kāi)發(fā)人員現(xiàn)在可以探索機(jī)器人等應(yīng)用的最佳用例,這對(duì)近距離應(yīng)用而言非常有效且易于使用,我們對(duì)此感到十分振奮。
LEMO的定位銷(xiāo)系統(tǒng)可在防止錯(cuò)誤插接的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的針芯密度。這些高質(zhì)量的LEMO連接器已通過(guò)UL認(rèn)證,可以提供電纜組件。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:10.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:6.15 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:26 S 下降時(shí)間:12 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:SI7850DP-E3 單位重量:506.600 mg
使用簡(jiǎn)單的Raspberry Pi主機(jī),以高達(dá)120 FPS的速度進(jìn)行快速3D傳感,從而能夠?qū)焖僖苿?dòng)的物體進(jìn)行高精度、低延遲的三維點(diǎn)云數(shù)據(jù)測(cè)量,在其他特定主機(jī)上亦可實(shí)現(xiàn)并支持更高的速度(即>600fps)。
DK-ILT001外形小巧輕便[44(寬)×24(深)×16(高)mm,重16g],可支持開(kāi)發(fā)緊湊型3D傳感系統(tǒng),系統(tǒng)可輕松附著于包括移動(dòng)物體在內(nèi)的許多設(shè)備上,并由價(jià)格不貴的Raspberry Pi設(shè)備進(jìn)行托管。
DK-ILT001隨附一個(gè)面向OpenCV、PCL、ROS和Unity,以及C++和Python的軟件API。這簡(jiǎn)化了對(duì)具有更高水平3D性能的新應(yīng)用的評(píng)估和開(kāi)發(fā)。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-SO-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:60 V Id-連續(xù)漏極電流:10.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:22 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V Qg-柵極電荷:27 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:6.15 mm 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:5.15 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:26 S 下降時(shí)間:12 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:25 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:SI7850DP-E3 單位重量:506.600 mg
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