高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。

Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是硅IGBT的替代產(chǎn)品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率，之前的技術(shù)要求設計人員在性能上做出妥協(xié)并使用復雜的拓撲結(jié)構(gòu)。

此外，電力電子系統(tǒng)的尺寸和重量因變壓器而變得臃腫，只有通過提高開關(guān)頻率才能減小尺寸。

新推出的碳化硅系列產(chǎn)品使工程師能夠舍棄IGBT，轉(zhuǎn)而使用零件數(shù)量更少、效率更高、控制方案更簡單的兩級拓撲結(jié)構(gòu)。

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導通電阻: 7.9 mOhms, 7.9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 28 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 54 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 2 N-Channel

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 10 ns, 10 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 3 ns, 3 ns

工廠包裝數(shù)量: 5000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 15 ns, 15 ns

典型接通延遲時間: 12 ns, 12 ns

零件號別名: IPG20N04S4-09 SP000705570

單位重量: 96.880 mg

器件的核心是一個高能效降壓LED驅(qū)動器，支持高帶寬模擬調(diào)光和低至零電流的PWM調(diào)光。

該驅(qū)動器含一個集成的3V3固定DC-DC轉(zhuǎn)換器和一個進一步可調(diào)的DC-DC（2.5 至 24V），可用于為系統(tǒng)組件如感知和微控制器供電。

將這些電源方案集成到驅(qū)動器中，極大地簡化了系統(tǒng)設計，同時提高能效。

NCL31000能夠以 0.1% 的精度真正調(diào)暗，確保在最低調(diào)光設置下沒有鬼光。它還集成一個 10 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) ，實現(xiàn)高度準確的診斷，從而進一步降低系統(tǒng)復雜性。

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