在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET
發(fā)布時間:2021/7/28 7:01:51 訪問次數(shù):1029
為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入,MOSFET作為用于驅(qū)動的器件,需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。
為了進一步提高電機的效率并減小尺寸,對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。
在這種背景下,ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
低溫漂在長壽命應用中尤為重要,因為隨著時間的推移,它可以實現(xiàn)更好的性能和更高的可靠性。
產(chǎn)品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅(qū)動器
RoHS: 詳細信息
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: DRV8906-Q1
商標: Texas Instruments
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 198 mg
增強其5G RAN平臺組合,5G DU X100加速卡今日發(fā)布,該加速卡的構建方式使基礎設施供應商和運營商能夠利用高能效的5G、低延遲和高性能,同時促進蜂窩生態(tài)系統(tǒng)適應虛擬化無線接入網(wǎng)絡(RAN)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入,MOSFET作為用于驅(qū)動的器件,需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。
為了進一步提高電機的效率并減小尺寸,對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關工作的要求。
在這種背景下,ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
低溫漂在長壽命應用中尤為重要,因為隨著時間的推移,它可以實現(xiàn)更好的性能和更高的可靠性。
產(chǎn)品種類: 馬達/運動/點火控制器和驅(qū)動器
RoHS: 詳細信息
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: DRV8906-Q1
商標: Texas Instruments
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 198 mg
增強其5G RAN平臺組合,5G DU X100加速卡今日發(fā)布,該加速卡的構建方式使基礎設施供應商和運營商能夠利用高能效的5G、低延遲和高性能,同時促進蜂窩生態(tài)系統(tǒng)適應虛擬化無線接入網(wǎng)絡(RAN)。
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