尖端補(bǔ)充LED光源低引腳數(shù)單芯片解決方案適用于FPGA配置

發(fā)布時(shí)間:2021/7/29 7:28:03 訪問(wèn)次數(shù):456

高容量抗輻射（RadTol）NOR閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品通過(guò)了MIL-PRF-38535 QML-V流程認(rèn)證。QML-V流程是航天級(jí)IC的最高質(zhì)量和可靠性標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

英飛凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存儲(chǔ)器可帶來(lái)出色的低引腳數(shù)單芯片解決方案，適用于FPGA配置、圖像存儲(chǔ)、微控制器數(shù)據(jù)和引導(dǎo)代碼存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)合。

在更高時(shí)鐘速率下使用時(shí)，器件支持的數(shù)據(jù)傳輸可媲美或超越傳統(tǒng)的并行異步NOR閃存，同時(shí)顯著減少引腳數(shù)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-220-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.65 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 18 A

Pd-功率耗散: 70 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP 5 H5

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產(chǎn)品類型: IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: IGBTs

商標(biāo)名: TRENCHSTOP

零件號(hào)別名: SP001001716 IKP08N65H5XKSA1

單位重量: 2.030 g

NanEyeM還擁有高達(dá)49fps（幀/秒）的幀率，可在各種標(biāo)準(zhǔn)接口上實(shí)現(xiàn)流暢、低延遲的顯示，同時(shí)保持低功耗。圖像傳感器像素靈敏度高，這意味著需要較少的照明。

有助于控制設(shè)備尖端的發(fā)熱。該模組配有一條適用電纜，可根據(jù)客戶要求定制，長(zhǎng)度可達(dá)3米。自身附帶的電纜可確保其與內(nèi)窺鏡設(shè)備順暢無(wú)縫的整合�？稍诩舛搜a(bǔ)充LED光源。

得益于數(shù)字LVDS串行接口，該攝像頭具備高信噪比（SNR）。因此，它能夠在不損失信號(hào)完整性或不增加噪聲的情況下通過(guò)長(zhǎng)距離的電纜傳輸圖像。

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