降低系統(tǒng)整體功耗的Tinywork®技術(shù)隔離耐壓達(dá)3kVrms

發(fā)布時(shí)間:2021/7/31 20:34:41 訪問(wèn)次數(shù):427

模塊具有8個(gè)數(shù)據(jù)引腳和一個(gè)屏蔽觸點(diǎn)，并允許通過(guò)兩條五類(lèi)線或一條超六類(lèi)線進(jìn)行以太網(wǎng)傳輸。

4.9mm×3.9mm的SSOP16小封裝，使其更適用于高集成度方案，幫助工程師大幅節(jié)省PCB尺寸和布板空間。NIRS31/NIRS485現(xiàn)已通過(guò)CQC及UL認(rèn)證，隔離耐壓達(dá)3kVrms，可滿足各種系統(tǒng)安規(guī)需求。

與分立高速光耦隔離方案相比，NIRS31集成度更高，數(shù)據(jù)速率達(dá)1Mbps，在滿足性能指標(biāo)的同時(shí)節(jié)省了更多成本。與485接收器加光耦的分立方案相比，NIRS485簡(jiǎn)單易用，使其不僅節(jié)省了電路板尺寸，也大幅節(jié)省了客戶(hù)的物料管理成本。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): IGBT 晶體管

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-263-3

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: 20 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 40 A

Pd-功率耗散: 170 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 175 C

系列: HighSpeed 3

封裝: Cut Tape

封裝: Reel

商標(biāo): Infineon Technologies

柵極—射極漏泄電流: 100 nA

產(chǎn)品類(lèi)型: IGBT Transistors

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類(lèi)別: IGBTs

商標(biāo)名: TRENCHSTOP

零件號(hào)別名: IGB2N6H3XT SP000852232 IGB20N60H3ATMA1

單位重量: 2.200 g

降低系統(tǒng)整體功耗的Tinywork®技術(shù),使得外設(shè)在睡眠模式下，無(wú)需內(nèi)核處理器的干預(yù)也能獨(dú)立工作和相互協(xié)同，可將典型應(yīng)用場(chǎng)景功的工作電流降低80%以上，并且支持超低功耗待機(jī)，支持獨(dú)立備用電池供電。

傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)不可或缺的一部分，被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)終端中。

在基于通用MCU的傳統(tǒng)方案中，不同傳感器的數(shù)據(jù)采集及處理需要多套電路、多顆芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且性能要求越高，外圍電路的復(fù)雜度和成本就越高。

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