BD9G500EFJ-LA采用BiCDMOS高耐壓工藝，在內(nèi)置高邊MOSFET（非同步整流型*4）的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC中，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高的80V耐壓等級，從而可以使安全工作范圍更寬。

與同等輸出電流的普通產(chǎn)品相比，耐壓成功地提高了約20％，不僅在5G通信基站和服務(wù)器等的48V主電源系統(tǒng)中，而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統(tǒng)中，都擁有足夠的余量應(yīng)對突發(fā)性的浪涌電壓，因此有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的可靠性。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:2.7 A Rds On-漏源導通電阻:80 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Qg-柵極電荷:6.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:800 mW 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類型:1 P-Channel 商標:Diodes Incorporated 正向跨導 - 最小值:10 S 下降時間:22.2 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:10.3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:46.5 nS 典型接通延遲時間:12.5 ns 單位重量:8 mg

新型反激式開關(guān)IC具有優(yōu)異的恒壓/恒流精度，不受外圍元件的影響，并且在具有輸入電壓檢測安全保護功能的前提下，空載功耗仍然能夠小于30mW。

根據(jù)輸出的變化，器件具有多個欠壓故障保護閾值，且具有遲滯恢復(fù)特性的初級側(cè)過溫保護特性。所有這些都可以為這些電源設(shè)備提供完善的保護。

對有源箝位的變頻非對稱控制，進而實現(xiàn)智能的零電壓開關(guān)的方式來實現(xiàn)的，同時可以兼容非連續(xù)和連續(xù)導通兩種工作模式，從而極大地提高了設(shè)計的靈活性，并在整個工作范圍內(nèi)實現(xiàn)了效率的最大化。

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