交流濾波電容器可承受苛刻的溫濕度偏壓(THB)測(cè)試額定電壓
發(fā)布時(shí)間:2021/8/4 23:50:54 訪問次數(shù):757
高濕環(huán)境的全新系列交流濾波金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP1847C交流濾波。
Vishay RoedersteinMKP1847C交流濾波電容器可承受苛刻的溫濕度偏壓(THB)測(cè)試—在額定電壓,溫度40 °C,相對(duì)濕度93 %條件下測(cè)試長達(dá)56天—器件電氣性能未發(fā)生變化。
日前發(fā)布的電容器惡劣環(huán)境條件下工作時(shí),確保容量和ESR值穩(wěn)定,使用壽命周期長。
與上一代器件相比,在相同封裝尺寸的情況下,MKP1847C交流濾波系列電容器具有更高濕度穩(wěn)健性并降低了成本。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 128 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: IPB90N06
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 70 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 40 ns
典型接通延遲時(shí)間: 30 ns
零件號(hào)別名: IPB90N06S4-04 SP001028754
單位重量: 4 g
MLX90392價(jià)格低廉且不需要專用的LDO或穩(wěn)壓器,簡化設(shè)計(jì)同時(shí)可降低物料清單成本并節(jié)省PCB空間。
該傳感器芯片采用 UTDFN-8 超薄無引線 8 引腳封裝,尺寸僅為 2 mm x 2.5 mm x 0.4 mm,便于設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)空間受限的應(yīng)用需求。
此外,1.5 μA 的省電模式有助于節(jié)能,最大限度地延長了在電池供電類應(yīng)用中的運(yùn)行時(shí)間。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
高濕環(huán)境的全新系列交流濾波金屬化聚丙烯薄膜電容器---MKP1847C交流濾波。
Vishay RoedersteinMKP1847C交流濾波電容器可承受苛刻的溫濕度偏壓(THB)測(cè)試—在額定電壓,溫度40 °C,相對(duì)濕度93 %條件下測(cè)試長達(dá)56天—器件電氣性能未發(fā)生變化。
日前發(fā)布的電容器惡劣環(huán)境條件下工作時(shí),確保容量和ESR值穩(wěn)定,使用壽命周期長。
與上一代器件相比,在相同封裝尺寸的情況下,MKP1847C交流濾波系列電容器具有更高濕度穩(wěn)健性并降低了成本。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 128 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: IPB90N06
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 70 ns
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 40 ns
典型接通延遲時(shí)間: 30 ns
零件號(hào)別名: IPB90N06S4-04 SP001028754
單位重量: 4 g
MLX90392價(jià)格低廉且不需要專用的LDO或穩(wěn)壓器,簡化設(shè)計(jì)同時(shí)可降低物料清單成本并節(jié)省PCB空間。
該傳感器芯片采用 UTDFN-8 超薄無引線 8 引腳封裝,尺寸僅為 2 mm x 2.5 mm x 0.4 mm,便于設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)空間受限的應(yīng)用需求。
此外,1.5 μA 的省電模式有助于節(jié)能,最大限度地延長了在電池供電類應(yīng)用中的運(yùn)行時(shí)間。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點(diǎn)擊
- 交流濾波電容器可承受苛刻的溫濕度偏壓(THB
- 全頻譜天線支持600MHz–6000MHz頻
- UL/CSA認(rèn)證所要求的在125/250VA
- 攝像頭模組快速增長一次性內(nèi)窺鏡市場(chǎng)獨(dú)特且極具
- 9款新的功率雙極性晶體管運(yùn)行頻率高達(dá)160M
- NSM201X集成電流路徑線性霍爾傳感器多方
- STDRIVE半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及650V常關(guān)的
- 雙擠出機(jī)(IDEX)系統(tǒng)提供動(dòng)力體積比約為7
- 交鑰匙1/2測(cè)試系統(tǒng)多達(dá)19路的12位ADC
- 高CV值和高達(dá)7.22A(100 Hz,60
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同,EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- STGWA30IH160DF2
- 最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6
- EMI CISPR25 CLA
- Android 和Linux
- 汽車混合信號(hào)微控制器̴
- 4A,6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動(dòng)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究