對于需要較小磁場范圍的位置檢測以及將噪聲作為關(guān)鍵設(shè)計(jì)參數(shù)的精確位置測量，±5 mT 型號的靈敏度可達(dá) 0.15 μT/LSB 且典型 RMS 噪聲低至 0.3 μT。

兩種型號都支持單次測量和連續(xù)測量模式，極具設(shè)計(jì)靈活性。自檢狀態(tài)、數(shù)據(jù)就緒和磁傳感器溢出指示可提供全方位的診斷。

器件性能可靠,適合UPS系統(tǒng),再生能源逆變器并網(wǎng)接口,以及焊接設(shè)備等輸入輸出濾波。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 9 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 36 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值: 28 S

下降時(shí)間: 5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 40 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns

典型接通延遲時(shí)間: 15 ns

零件號別名: IPB9N6N3GXT SP000398042 IPB090N06N3GATMA1

單位重量: 4 g

NIRS485產(chǎn)品特性

高達(dá)3000Vrms的絕緣耐壓

總線側(cè)電源電壓：3.0V至5.5V

VDD1電源電壓：2.5V至5.5V

高CMTI(典型值)：±150kV/μs

較高的系統(tǒng)級EMC性能：總線引腳符合IEC61000-4-2±8kV ESD

浪涌耐壓 >6kV

故障安全保護(hù)接收器

支持256個(gè)收發(fā)器

工作溫度：-40℃~105℃

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