輕質(zhì)AlSiC平板基板微小的功耗實(shí)現(xiàn)顯著更快的擦除時(shí)間
發(fā)布時(shí)間:2021/8/5 18:48:18 訪問(wèn)次數(shù):892
PCIe® 3.0 數(shù)據(jù)包切換器PI7C9X3G808GP,能夠提供現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、云端運(yùn)算、網(wǎng)絡(luò)附加儲(chǔ)存設(shè)備 (NAS) 和電信基礎(chǔ)設(shè)施所要求的高效能參數(shù)。
該系列產(chǎn)品提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低功耗高速讀取操作,并且僅以微小的功耗實(shí)現(xiàn)顯著更快的擦除時(shí)間。
這款數(shù)據(jù)包切換器支持 8 通道操作,支持 2、3、4、5和 8 端口配置。可利用直通 (cut-through) 及儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)發(fā) (store and forward) 模式,支持小于 150ns (典型值) 的數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)延遲。
新型AS585xB產(chǎn)品與X射線影像設(shè)備中的標(biāo)準(zhǔn)連接器兼容,組裝起來(lái)更簡(jiǎn)便.
制造商:Micron Technology產(chǎn)品種類(lèi):存儲(chǔ)器模塊RoHS: 產(chǎn)品:SO-DIMM存儲(chǔ)容量:8 GB存儲(chǔ)類(lèi)型:DDR4速度:2666 MT/s工作電源電壓:1.2 V最大工作溫度:+ 95 C管腳數(shù)量:260 Pin尺寸:69.73 mm x 30.13 mm x 3.7 mm封裝:Tray系列:商標(biāo):Micron最小工作溫度:0 C濕度敏感性:Yes產(chǎn)品類(lèi)型:Memory Modules100子類(lèi)別:Memory & Data Storage單位重量:70.642 g
一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM),以滿(mǎn)足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對(duì)自然空氣對(duì)流或背板冷卻的需求。
高溫芯片和模塊技術(shù)平臺(tái)亦將大力推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成系統(tǒng)(電機(jī)、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低,并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術(shù)平臺(tái)可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求,極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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該系列產(chǎn)品提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低功耗高速讀取操作,并且僅以微小的功耗實(shí)現(xiàn)顯著更快的擦除時(shí)間。
這款數(shù)據(jù)包切換器支持 8 通道操作,支持 2、3、4、5和 8 端口配置?衫弥蓖 (cut-through) 及儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)發(fā) (store and forward) 模式,支持小于 150ns (典型值) 的數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)延遲。
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一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM),以滿(mǎn)足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對(duì)自然空氣對(duì)流或背板冷卻的需求。
高溫芯片和模塊技術(shù)平臺(tái)亦將大力推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成系統(tǒng)(電機(jī)、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低,并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。
CISSOID的IPM技術(shù)平臺(tái)可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求,極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。
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