集成產(chǎn)品評估所需連接的較大基板用于轉(zhuǎn)向電機位置探測
發(fā)布時間:2021/8/6 8:54:05 訪問次數(shù):181
Maxim Integrated的MAX78000神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制器采用Aizip的視覺喚醒詞(VWW)模型在圖像中檢測人形,將每次運算功耗降至0.7 毫焦(mJ)。
低功耗網(wǎng)絡(luò)為需要人形檢測的電池供電IoT系統(tǒng)提供更長的運行時間,比如:樓宇能源管理、智能安防攝像頭等。
NXP i.MX 8M Plus評估套件包含一個搭載i.MX 8M Plus Quad處理器的緊湊型計算模塊和一個集成了產(chǎn)品評估所需連接的較大基板。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 44 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 36 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 135 W
通道模式: Enhancement
商標名: UltraFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FDD3672
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.22 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 44 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 59 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
零件號別名: FDD3672_NL
單位重量: 330 mg
TAD4140可以同時給出兩種不同的輸出,比如ABZ和ENC,來計算速度、方向和電機位置。這表明該傳感器可以與主/從配置的兩個ECU一起工作,比如用于轉(zhuǎn)向電機位置探測。
TDK藝術(shù)級的TMR技術(shù)可以和含有嵌入式信號處理器(DSP)的專用集成電路(ASIC)一起使用。
TAD2141和TAD4140都具有靜態(tài)和動態(tài)標定功能,都能夠補償幅值增益、偏置以及正交的偏離。
CLT32系列電感器在不同溫度下的效率和飽和電流漂移方面也優(yōu)于其他技術(shù),電感值范圍為17 nH至440 nH,額定工作電流為10A至45A,飽和電流高達60 A,工作溫度可達165°C,其非常適合汽車應(yīng)用。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
Maxim Integrated的MAX78000神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)控制器采用Aizip的視覺喚醒詞(VWW)模型在圖像中檢測人形,將每次運算功耗降至0.7 毫焦(mJ)。
低功耗網(wǎng)絡(luò)為需要人形檢測的電池供電IoT系統(tǒng)提供更長的運行時間,比如:樓宇能源管理、智能安防攝像頭等。
NXP i.MX 8M Plus評估套件包含一個搭載i.MX 8M Plus Quad處理器的緊湊型計算模塊和一個集成了產(chǎn)品評估所需連接的較大基板。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 44 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 36 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 135 W
通道模式: Enhancement
商標名: UltraFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FDD3672
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.22 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 44 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 59 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 11 ns
零件號別名: FDD3672_NL
單位重量: 330 mg
TAD4140可以同時給出兩種不同的輸出,比如ABZ和ENC,來計算速度、方向和電機位置。這表明該傳感器可以與主/從配置的兩個ECU一起工作,比如用于轉(zhuǎn)向電機位置探測。
TDK藝術(shù)級的TMR技術(shù)可以和含有嵌入式信號處理器(DSP)的專用集成電路(ASIC)一起使用。
TAD2141和TAD4140都具有靜態(tài)和動態(tài)標定功能,都能夠補償幅值增益、偏置以及正交的偏離。
CLT32系列電感器在不同溫度下的效率和飽和電流漂移方面也優(yōu)于其他技術(shù),電感值范圍為17 nH至440 nH,額定工作電流為10A至45A,飽和電流高達60 A,工作溫度可達165°C,其非常適合汽車應(yīng)用。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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