數(shù)字輸出的新產(chǎn)品TAD4140在PMIC拓撲使用多個功率電感器
發(fā)布時間:2021/8/6 8:48:50 訪問次數(shù):975
全信號冗余,兩路電隔離的輸出,支持ASIL D系統(tǒng)要求.
隧道磁阻(TMR)角度傳感器產(chǎn)品組合,推出數(shù)字輸出的新產(chǎn)品TAD4140。和TDK現(xiàn)有的數(shù)字角度傳感器TAD2141相比,新產(chǎn)品TAD4140更滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用高要求。
TAD4140的特點是在單個TSSOP16封裝中容納兩個信號處理器,提供全冗余。
這兩款角度傳感器都能夠在-40 °C up to +150 °C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)以非接觸方式測量上至360度的角度,適合電子助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)中無刷電機通訊的電機控制應(yīng)用。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 420 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FQD9N25
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.8 S
下降時間: 45 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 105 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 25 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
單位重量: 330 mg
HDL3000-HV系列通過了AV/ICT設(shè)備需要滿足的IEC/UL/EN 62368-1安規(guī)認(rèn)證。
該產(chǎn)品還符合EN 55032 A級傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),并符合EN 61000-3-2諧波和EN 61000-4-2抗擾度標(biāo)準(zhǔn)。所有型號均提供3年保修。
其中關(guān)鍵因素是在PMIC拓撲中可同時使用多個該系列的功率電感器,從而顯著縮減PCB電路板尺寸。
全信號冗余,兩路電隔離的輸出,支持ASIL D系統(tǒng)要求.
隧道磁阻(TMR)角度傳感器產(chǎn)品組合,推出數(shù)字輸出的新產(chǎn)品TAD4140。和TDK現(xiàn)有的數(shù)字角度傳感器TAD2141相比,新產(chǎn)品TAD4140更滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用高要求。
TAD4140的特點是在單個TSSOP16封裝中容納兩個信號處理器,提供全冗余。
這兩款角度傳感器都能夠在-40 °C up to +150 °C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)以非接觸方式測量上至360度的角度,適合電子助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)中無刷電機通訊的電機控制應(yīng)用。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續(xù)漏極電流: 7.4 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 420 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 20 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.39 mm
長度: 6.73 mm
系列: FQD9N25
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.8 S
下降時間: 45 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 105 ns
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 25 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
單位重量: 330 mg
HDL3000-HV系列通過了AV/ICT設(shè)備需要滿足的IEC/UL/EN 62368-1安規(guī)認(rèn)證。
該產(chǎn)品還符合EN 55032 A級傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),并符合EN 61000-3-2諧波和EN 61000-4-2抗擾度標(biāo)準(zhǔn)。所有型號均提供3年保修。
其中關(guān)鍵因素是在PMIC拓撲中可同時使用多個該系列的功率電感器,從而顯著縮減PCB電路板尺寸。
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