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數(shù)字輸出的新產(chǎn)品TAD4140在PMIC拓撲使用多個功率電感器

發(fā)布時間:2021/8/6 8:48:50 訪問次數(shù):975

全信號冗余,兩路電隔離的輸出,支持ASIL D系統(tǒng)要求.

隧道磁阻(TMR)角度傳感器產(chǎn)品組合,推出數(shù)字輸出的新產(chǎn)品TAD4140。和TDK現(xiàn)有的數(shù)字角度傳感器TAD2141相比,新產(chǎn)品TAD4140更滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用高要求。

TAD4140的特點是在單個TSSOP16封裝中容納兩個信號處理器,提供全冗余。

這兩款角度傳感器都能夠在-40 °C up to +150 °C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)以非接觸方式測量上至360度的角度,適合電子助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)中無刷電機通訊的電機控制應(yīng)用。

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 420 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 2.39 mm

長度: 6.73 mm

系列: FQD9N25

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: MOSFET

寬度: 6.22 mm

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.8 S

下降時間: 45 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 105 ns

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 25 ns

典型接通延遲時間: 13 ns

單位重量: 330 mg

這款超緊湊產(chǎn)品的尺寸為170.0mm x 64.0mm x 301.49mm,通過集成變速風(fēng)扇的強制氣流冷卻。工作溫度介于-20°C和+60°C之間,滿載時最高溫度為+50°C,在+60°C時線性降額至50%負載。

HDL3000-HV系列通過了AV/ICT設(shè)備需要滿足的IEC/UL/EN 62368-1安規(guī)認(rèn)證。

該產(chǎn)品還符合EN 55032 A級傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),并符合EN 61000-3-2諧波和EN 61000-4-2抗擾度標(biāo)準(zhǔn)。所有型號均提供3年保修。

其中關(guān)鍵因素是在PMIC拓撲中可同時使用多個該系列的功率電感器,從而顯著縮減PCB電路板尺寸。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

全信號冗余,兩路電隔離的輸出,支持ASIL D系統(tǒng)要求.

隧道磁阻(TMR)角度傳感器產(chǎn)品組合,推出數(shù)字輸出的新產(chǎn)品TAD4140。和TDK現(xiàn)有的數(shù)字角度傳感器TAD2141相比,新產(chǎn)品TAD4140更滿足汽車和工業(yè)應(yīng)用高要求。

TAD4140的特點是在單個TSSOP16封裝中容納兩個信號處理器,提供全冗余。

這兩款角度傳感器都能夠在-40 °C up to +150 °C的環(huán)境溫度范圍內(nèi)以非接觸方式測量上至360度的角度,適合電子助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(EPAS)中無刷電機通訊的電機控制應(yīng)用。

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-252-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V

Id-連續(xù)漏極電流: 7.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 420 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 20 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 2.39 mm

長度: 6.73 mm

系列: FQD9N25

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: MOSFET

寬度: 6.22 mm

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild

正向跨導(dǎo) - 最小值: 6.8 S

下降時間: 45 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 105 ns

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 25 ns

典型接通延遲時間: 13 ns

單位重量: 330 mg

這款超緊湊產(chǎn)品的尺寸為170.0mm x 64.0mm x 301.49mm,通過集成變速風(fēng)扇的強制氣流冷卻。工作溫度介于-20°C和+60°C之間,滿載時最高溫度為+50°C,在+60°C時線性降額至50%負載。

HDL3000-HV系列通過了AV/ICT設(shè)備需要滿足的IEC/UL/EN 62368-1安規(guī)認(rèn)證。

該產(chǎn)品還符合EN 55032 A級傳導(dǎo)和輻射標(biāo)準(zhǔn),并符合EN 61000-3-2諧波和EN 61000-4-2抗擾度標(biāo)準(zhǔn)。所有型號均提供3年保修。

其中關(guān)鍵因素是在PMIC拓撲中可同時使用多個該系列的功率電感器,從而顯著縮減PCB電路板尺寸。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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