多路復(fù)用技術(shù)通過輸出引腳傳輸電壓和電流sigma-delta比特流
發(fā)布時間:2021/8/11 22:36:27 訪問次數(shù):354
STPMS2是一款雙通道24位二階sigma-delta調(diào)制器,通過板上分壓器和分流傳感器測量每相交流電的電壓電流,然后,使用微控制器分配的同步4MHz時鐘對信號進行過采樣,并采用多路復(fù)用技術(shù)通過一個輸出引腳傳輸電壓和電流的sigma-delta比特流。
三相電表系統(tǒng)需要使用三個STPMS2采集每個相的電壓電流數(shù)據(jù)。
隨板提供的電表固件利用STM32微控制器集成的sigma-delta調(diào)制數(shù)字濾波器(DFSDM)將六個比特流轉(zhuǎn)換為24位的電壓和電流值,并每200μs實時計算一次所有計量數(shù)據(jù)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: N
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 6.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
系列: BTS129
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 75 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 100 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
零件號別名: SP000011202 BTS129NKSA1
單位重量: 2 g

這兩種新型高溫裝置均屬于 LIN 總線連接執(zhí)行器的汽車級電機控制器產(chǎn)品系列。
HVC 4xxxF 系列集成了 Arm® 標(biāo)準(zhǔn)微處理器與六個獨立的 500mA 半橋驅(qū)動器以及一系列附加功能,使緊湊而經(jīng)濟高效的電機控制應(yīng)用成為了可能。
裝置能夠在功率要求高達 1A 峰值電流的應(yīng)用中驅(qū)動小型有刷 (BDC) 和無刷 (BLDC) 步進電機。
憑借其強大的處理能力,HVC 系列可實現(xiàn)復(fù)雜的電機控制算法,例如用于永磁同步電機 (PMSM) 的空間矢量調(diào)制 (SVM)、帶有反電磁力無傳感器換向 (BEMF),以及各種帶電流限制和失速檢測的步進算法。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
STPMS2是一款雙通道24位二階sigma-delta調(diào)制器,通過板上分壓器和分流傳感器測量每相交流電的電壓電流,然后,使用微控制器分配的同步4MHz時鐘對信號進行過采樣,并采用多路復(fù)用技術(shù)通過一個輸出引腳傳輸電壓和電流的sigma-delta比特流。
三相電表系統(tǒng)需要使用三個STPMS2采集每個相的電壓電流數(shù)據(jù)。
隨板提供的電表固件利用STM32微控制器集成的sigma-delta調(diào)制數(shù)字濾波器(DFSDM)將六個比特流轉(zhuǎn)換為24位的電壓和電流值,并每200μs實時計算一次所有計量數(shù)據(jù)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: N
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 6.7 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 75 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
系列: BTS129
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時間: 75 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 60 ns
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 100 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
零件號別名: SP000011202 BTS129NKSA1
單位重量: 2 g

這兩種新型高溫裝置均屬于 LIN 總線連接執(zhí)行器的汽車級電機控制器產(chǎn)品系列。
HVC 4xxxF 系列集成了 Arm® 標(biāo)準(zhǔn)微處理器與六個獨立的 500mA 半橋驅(qū)動器以及一系列附加功能,使緊湊而經(jīng)濟高效的電機控制應(yīng)用成為了可能。
裝置能夠在功率要求高達 1A 峰值電流的應(yīng)用中驅(qū)動小型有刷 (BDC) 和無刷 (BLDC) 步進電機。
憑借其強大的處理能力,HVC 系列可實現(xiàn)復(fù)雜的電機控制算法,例如用于永磁同步電機 (PMSM) 的空間矢量調(diào)制 (SVM)、帶有反電磁力無傳感器換向 (BEMF),以及各種帶電流限制和失速檢測的步進算法。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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