散熱條件下保證產(chǎn)品性能并且在設備外殼溫度100℃時不會降額
發(fā)布時間:2021/8/12 8:19:03 訪問次數(shù):854
新轉(zhuǎn)換器主要針對電信應用,其輸入電壓范圍為36V至75V,符合歐洲電信標準ETS 300 132-2對-48Vdc和-60Vdc系統(tǒng)中正常輸入電壓范圍的要求。
其在12V輸出電壓下可提供高達8.3A的輸出電流,從而可提供100W的輸出功率,并且輸出電壓可實現(xiàn)10%的微調(diào)。其輸入至輸出隔離電壓為2250V。
該轉(zhuǎn)換器提供可選的底板,其主要通過設備外殼來實現(xiàn)傳導散熱。在這種散熱條件下可以保證產(chǎn)品性能,并且在設備外殼溫度100℃時不會降額。
產(chǎn)品種類: 緩沖器和線路驅(qū)動器
RoHS: 詳細信息
輸入線路數(shù)量: 20 Input
輸出線路數(shù)量: 20 Output
極性: Non-Inverting
高電平輸出電流: - 32 mA
低電平輸出電流: 64 mA
靜態(tài)電流: 5 uA
電源電壓-最大: 5.5 V
電源電壓-最小: 4.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-56
封裝: Reel
功能: Buffer/Line Driver
高度: 1.15 mm
長度: 14 mm
工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C
輸出類型: 3-State
系列: CY74FCT16827T
技術: CMOS
寬度: 6.1 mm
商標: Texas Instruments
邏輯系列: FCT
邏輯類型: CMOS
通道數(shù)量: 20
電源電流—最大值: 500 uA
輸入信號類型: Single-Ended
工作電源電壓: 2 V to 5 V
Pd-功率耗散: 1 W
產(chǎn)品類型: Buffers & Line Drivers
傳播延遲時間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: Logic ICs
單位重量: 252.800 mg
集成多個器件于單個芯片上的好處是易于設計、布局和組裝,并且節(jié)省占板面積、提高效率和降低成本。該系列的產(chǎn)品將推動在更廣泛的最終用戶應用中,采用ToF技術的激光雷達解決方案能夠更快被采納和得以普及。
我們的氮化鎵集成電路技術的最新進展有望改變飛行時間激光雷達系統(tǒng)的設計方法。
在單個芯片上集成氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)和驅(qū)動器,可產(chǎn)生功能強大、速度超快的IC,并且縮小系統(tǒng)的尺寸和降低成本,從而在消費類應用中得以普及。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
新轉(zhuǎn)換器主要針對電信應用,其輸入電壓范圍為36V至75V,符合歐洲電信標準ETS 300 132-2對-48Vdc和-60Vdc系統(tǒng)中正常輸入電壓范圍的要求。
其在12V輸出電壓下可提供高達8.3A的輸出電流,從而可提供100W的輸出功率,并且輸出電壓可實現(xiàn)10%的微調(diào)。其輸入至輸出隔離電壓為2250V。
該轉(zhuǎn)換器提供可選的底板,其主要通過設備外殼來實現(xiàn)傳導散熱。在這種散熱條件下可以保證產(chǎn)品性能,并且在設備外殼溫度100℃時不會降額。
產(chǎn)品種類: 緩沖器和線路驅(qū)動器
RoHS: 詳細信息
輸入線路數(shù)量: 20 Input
輸出線路數(shù)量: 20 Output
極性: Non-Inverting
高電平輸出電流: - 32 mA
低電平輸出電流: 64 mA
靜態(tài)電流: 5 uA
電源電壓-最大: 5.5 V
電源電壓-最小: 4.5 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-56
封裝: Reel
功能: Buffer/Line Driver
高度: 1.15 mm
長度: 14 mm
工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C
輸出類型: 3-State
系列: CY74FCT16827T
技術: CMOS
寬度: 6.1 mm
商標: Texas Instruments
邏輯系列: FCT
邏輯類型: CMOS
通道數(shù)量: 20
電源電流—最大值: 500 uA
輸入信號類型: Single-Ended
工作電源電壓: 2 V to 5 V
Pd-功率耗散: 1 W
產(chǎn)品類型: Buffers & Line Drivers
傳播延遲時間: 10 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: Logic ICs
單位重量: 252.800 mg
集成多個器件于單個芯片上的好處是易于設計、布局和組裝,并且節(jié)省占板面積、提高效率和降低成本。該系列的產(chǎn)品將推動在更廣泛的最終用戶應用中,采用ToF技術的激光雷達解決方案能夠更快被采納和得以普及。
我們的氮化鎵集成電路技術的最新進展有望改變飛行時間激光雷達系統(tǒng)的設計方法。
在單個芯片上集成氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)和驅(qū)動器,可產(chǎn)生功能強大、速度超快的IC,并且縮小系統(tǒng)的尺寸和降低成本,從而在消費類應用中得以普及。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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