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正反逆插的插頭插入和附件方向檢測(cè)1200V額定值的SiC MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2021/8/22 22:52:13 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):255

在移動(dòng)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)通信、充電和供電的標(biāo)準(zhǔn)化方面提供了空前的領(lǐng)導(dǎo)地位。

USB3.1 Super Speed Gen 1(5Gbps)和Gen 2(10Gbps)數(shù)據(jù)通信電源供電Power Delivery 2.0或PD,最高100 W或20 V / 5 AType C連接器.

Type C連接器有24個(gè)觸點(diǎn)(兩排各12個(gè)觸點(diǎn)),設(shè)計(jì)用以處理高達(dá)100 W、20 V / 5 A的電流,以非常緊湊的外形尺寸(僅2.4mm高度)提供可正反逆插的插頭插入和附件方向檢測(cè),并承諾放棄我們都愛(ài)恨交加的傳統(tǒng)電纜的糾纏“老鼠窩”。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): 馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QFN-32

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 0.75 mm

長(zhǎng)度: 5 mm

寬度: 5 mm

商標(biāo): Infineon / IR

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類(lèi)型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類(lèi)別: PMIC - Power Management ICs

商標(biāo)名: iMOTION

WBG方案的其他相關(guān)的好處包括大幅節(jié)省空間。

SiC提供的卓越導(dǎo)熱性意味著所需的散熱器尺寸將大大減少。使用更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,工程師可將其直接安裝在電機(jī)外殼上。這將減少所需的電纜數(shù)量。

安森美半導(dǎo)體現(xiàn)在為工程師提供與SiC二極管共同封裝的IGBT。此外,公司還有650 V、900 V和1200 V額定值的SiC MOSFET。

采用這樣的產(chǎn)品,將有可能變革電機(jī)驅(qū)動(dòng)——提高能效參數(shù),并使實(shí)施更精簡(jiǎn)。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


在移動(dòng)產(chǎn)品的數(shù)據(jù)通信、充電和供電的標(biāo)準(zhǔn)化方面提供了空前的領(lǐng)導(dǎo)地位。

USB3.1 Super Speed Gen 1(5Gbps)和Gen 2(10Gbps)數(shù)據(jù)通信電源供電Power Delivery 2.0或PD,最高100 W或20 V / 5 AType C連接器.

Type C連接器有24個(gè)觸點(diǎn)(兩排各12個(gè)觸點(diǎn)),設(shè)計(jì)用以處理高達(dá)100 W、20 V / 5 A的電流,以非常緊湊的外形尺寸(僅2.4mm高度)提供可正反逆插的插頭插入和附件方向檢測(cè),并承諾放棄我們都愛(ài)恨交加的傳統(tǒng)電纜的糾纏“老鼠窩”。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): 馬達(dá)/運(yùn)動(dòng)/點(diǎn)火控制器和驅(qū)動(dòng)器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QFN-32

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 0.75 mm

長(zhǎng)度: 5 mm

寬度: 5 mm

商標(biāo): Infineon / IR

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類(lèi)型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類(lèi)別: PMIC - Power Management ICs

商標(biāo)名: iMOTION

WBG方案的其他相關(guān)的好處包括大幅節(jié)省空間。

SiC提供的卓越導(dǎo)熱性意味著所需的散熱器尺寸將大大減少。使用更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,工程師可將其直接安裝在電機(jī)外殼上。這將減少所需的電纜數(shù)量。

安森美半導(dǎo)體現(xiàn)在為工程師提供與SiC二極管共同封裝的IGBT。此外,公司還有650 V、900 V和1200 V額定值的SiC MOSFET。

采用這樣的產(chǎn)品,將有可能變革電機(jī)驅(qū)動(dòng)——提高能效參數(shù),并使實(shí)施更精簡(jiǎn)。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


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