SiC的高電子遷移率使其能夠支持更快的開關(guān)速度
發(fā)布時(shí)間:2021/8/22 23:00:29 訪問次數(shù):663
與5G蜂窩技術(shù)應(yīng)用先驅(qū)之一的司亞樂合作,促進(jìn)這變革連接的采用,幫助改善關(guān)鍵任務(wù)和業(yè)務(wù)應(yīng)用的實(shí)時(shí)通信。
5G智能手機(jī)具有更大的屏幕、更大的鋰離子電池容量和“快速充電(快充)”等特點(diǎn),是表明著未來手機(jī)的發(fā)展,那么USB-C(USB Type-C)的PD 3.0規(guī)范,尤其是可編程電源(PPS),將成為USB供電的首選。
所有合規(guī)的> 3 A Type C電纜都必須包含電子標(biāo)記的電纜或emarker。

制造商:Renesas Electronics產(chǎn)品種類:監(jiān)控電路RoHS: 類型:Voltage Supervisory安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8閾值電壓:4.5 V to 5.5 V被監(jiān)測輸入數(shù):1 Input輸出類型:Active High人工復(fù)位:No Manual Reset看門狗計(jì)時(shí)器:Watchdog電池備用開關(guān):No Backup重置延遲時(shí)間:280 ms電源電壓-最大:5.5 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Reel高度:0 mm長度:4.9 mm寬度:3.9 mm商標(biāo):Renesas / Intersil過電壓閾值:4.5 V欠電壓閾值:4.25 V芯片啟用信號(hào):No Chip Enable工作電源電流:5 mA功率失效檢測:No產(chǎn)品類型:Supervisory Circuits2500子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:4.5 V單位重量:72 mg
雖然有各種重要的機(jī)會(huì)使用這項(xiàng)技術(shù),但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)正獲得最大的興趣和關(guān)注。
SiC的高電子遷移率使其能夠支持更快的開關(guān)速度。這些更快的開關(guān)速度意味著相應(yīng)的開關(guān)損耗也將減少。它的介電擊穿場強(qiáng)幾乎比硅高一個(gè)數(shù)量級(jí)。
這能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,這將轉(zhuǎn)化為更低的導(dǎo)通電阻值。此外,由于SiC的導(dǎo)熱系數(shù)是Si的三倍,因此在散熱方面要高效得多。因此,更容易減小熱應(yīng)力。
傳統(tǒng)的高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器會(huì)采用三相逆變器,其中Si IGBT集成反并聯(lián)二極管。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
與5G蜂窩技術(shù)應(yīng)用先驅(qū)之一的司亞樂合作,促進(jìn)這變革連接的采用,幫助改善關(guān)鍵任務(wù)和業(yè)務(wù)應(yīng)用的實(shí)時(shí)通信。
5G智能手機(jī)具有更大的屏幕、更大的鋰離子電池容量和“快速充電(快充)”等特點(diǎn),是表明著未來手機(jī)的發(fā)展,那么USB-C(USB Type-C)的PD 3.0規(guī)范,尤其是可編程電源(PPS),將成為USB供電的首選。
所有合規(guī)的> 3 A Type C電纜都必須包含電子標(biāo)記的電纜或emarker。

制造商:Renesas Electronics產(chǎn)品種類:監(jiān)控電路RoHS: 類型:Voltage Supervisory安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOIC-8閾值電壓:4.5 V to 5.5 V被監(jiān)測輸入數(shù):1 Input輸出類型:Active High人工復(fù)位:No Manual Reset看門狗計(jì)時(shí)器:Watchdog電池備用開關(guān):No Backup重置延遲時(shí)間:280 ms電源電壓-最大:5.5 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:封裝:Reel高度:0 mm長度:4.9 mm寬度:3.9 mm商標(biāo):Renesas / Intersil過電壓閾值:4.5 V欠電壓閾值:4.25 V芯片啟用信號(hào):No Chip Enable工作電源電流:5 mA功率失效檢測:No產(chǎn)品類型:Supervisory Circuits2500子類別:PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小:4.5 V單位重量:72 mg
雖然有各種重要的機(jī)會(huì)使用這項(xiàng)技術(shù),但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)正獲得最大的興趣和關(guān)注。
SiC的高電子遷移率使其能夠支持更快的開關(guān)速度。這些更快的開關(guān)速度意味著相應(yīng)的開關(guān)損耗也將減少。它的介電擊穿場強(qiáng)幾乎比硅高一個(gè)數(shù)量級(jí)。
這能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,這將轉(zhuǎn)化為更低的導(dǎo)通電阻值。此外,由于SiC的導(dǎo)熱系數(shù)是Si的三倍,因此在散熱方面要高效得多。因此,更容易減小熱應(yīng)力。
傳統(tǒng)的高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器會(huì)采用三相逆變器,其中Si IGBT集成反并聯(lián)二極管。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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