連接器可通過(guò)菊花鏈連接來(lái)分散控制多個(gè)高達(dá)850 VDC的伺服電機(jī)，進(jìn)而滿(mǎn)足更高的電氣強(qiáng)度要求。

Renesas ElectronicsRX23W模塊集成了天線和振蕩器，并采用6.1mm × 9.5mm緊湊封裝，為物聯(lián)網(wǎng)(IoT) 終端設(shè)備的系統(tǒng)控制和無(wú)線通信提供全面的低功耗藍(lán)牙5.0支持。

RoHS指令2015/863之2015年3月31日和附件。

支持完整的低功耗藍(lán)牙5.0通信，包括長(zhǎng)距離傳輸、2Mbps數(shù)據(jù)吞吐量，以及在125kbps下具備−105dBm接收靈敏度。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-363-6 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:2 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:540 mA Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:550 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:500 mV Qg-柵極電荷:530 pC 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:200 mW 通道模式:Enhancement 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Dual 高度:1 mm 長(zhǎng)度:2.2 mm 產(chǎn)品:MOSFET Small Signal 晶體管類(lèi)型:2 N-Channel 寬度:1.35 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 下降時(shí)間:10.5 ns 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET 上升時(shí)間:7.3 ns 工廠包裝數(shù)量3000 子類(lèi)別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.8 ns 典型接通延遲時(shí)間:4.1 ns 單位重量:7.500 mg

產(chǎn)品規(guī)格

搭載NXP i.MX8M Plus Cortex-A53 Quad/Dual 多達(dá)1.8GHz

板載 LPDDR4 6 GB, 4000MT/s memory

支持HDMI 3840 x 2160 30Hz

Dual GbE LAN, 1 個(gè)USB2.0 和 1 個(gè)USB 3.2 Gen 1

1個(gè)Micro SD Socket & 1 個(gè)Nano SIM Slot

1個(gè)mini-PCIe 支持 3G/4G, 1個(gè) M.2 2230 Key E Slot

支持Yocto Linux 和 Android

4種背部I/O接口聚焦垂直應(yīng)用: IEM, 自助服務(wù), 自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)通信

(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）