雙向充電樁相位交織策略和靈活點火順序以改善熱性能
發(fā)布時間:2021/8/30 8:45:39 訪問次數(shù):1647
TPS53676是雙路降壓控制器,內(nèi)置了非易失存儲器(NVM)和PMBus™兼容的串行接口,完全和TI公司的NexFET™智能功率級.
L6981CDR是容易使用的同步單片降壓穩(wěn)壓器,能夠?qū)ω撦d提供高達1.5A DC.
器件先進的控制特性如D-CAP+™架構(gòu)提供了快速瞬態(tài)響應(yīng),低輸出電容和良好的電流共享.器件還提供一種新穎相位交織策略和靈活點火順序以改善熱性能.
器件輸入電壓為4.5V到17V,輸出電壓范圍為0.25V到5.5V,每相開關(guān)頻率范圍為300 kHz 到2000 kHz.
制造商:TT Electronics產(chǎn)品種類:微調(diào)電阻 - 通孔系列:端接類型:PC Pin產(chǎn)品:Multiturn轉(zhuǎn)數(shù):12調(diào)整:Side Slot功率額定值:250 mW (1/4 W)電壓額定值:200 V容差:10 %溫度系數(shù):100 PPM / C方向:Horizontal Adjustment類型:Trimmers商標:BI Technologies / TT Electronics安裝風(fēng)格:PCB Mount元件類型:Cermet產(chǎn)品類型:Trimmer Resistors50子類別:Potentiometers, Trimmers & Rheostats錐度:Linear單位重量:400 mg
高耐壓1200V 碳化硅MOS來削減部件個數(shù)。通過將1200V 碳化硅MOS應(yīng)用于LLC部分,可以將Stack型的LLC電路變更為下述Single型。
具備高耐壓、高速開關(guān)特點的碳化硅器件給Single LLC帶來以下優(yōu)點:
減少功率器件數(shù)量,節(jié)省空間,簡化電路,降低故障率;
減少控制元件數(shù)量,簡化驅(qū)動電路,減少MCU使用數(shù)、減少端口數(shù)。
羅姆針對雙向充電樁的三相B6-PFC拓撲的方案使用1200V 碳化硅MOS.

TPS53676是雙路降壓控制器,內(nèi)置了非易失存儲器(NVM)和PMBus™兼容的串行接口,完全和TI公司的NexFET™智能功率級.
L6981CDR是容易使用的同步單片降壓穩(wěn)壓器,能夠?qū)ω撦d提供高達1.5A DC.
器件先進的控制特性如D-CAP+™架構(gòu)提供了快速瞬態(tài)響應(yīng),低輸出電容和良好的電流共享.器件還提供一種新穎相位交織策略和靈活點火順序以改善熱性能.
器件輸入電壓為4.5V到17V,輸出電壓范圍為0.25V到5.5V,每相開關(guān)頻率范圍為300 kHz 到2000 kHz.
制造商:TT Electronics產(chǎn)品種類:微調(diào)電阻 - 通孔系列:端接類型:PC Pin產(chǎn)品:Multiturn轉(zhuǎn)數(shù):12調(diào)整:Side Slot功率額定值:250 mW (1/4 W)電壓額定值:200 V容差:10 %溫度系數(shù):100 PPM / C方向:Horizontal Adjustment類型:Trimmers商標:BI Technologies / TT Electronics安裝風(fēng)格:PCB Mount元件類型:Cermet產(chǎn)品類型:Trimmer Resistors50子類別:Potentiometers, Trimmers & Rheostats錐度:Linear單位重量:400 mg
高耐壓1200V 碳化硅MOS來削減部件個數(shù)。通過將1200V 碳化硅MOS應(yīng)用于LLC部分,可以將Stack型的LLC電路變更為下述Single型。
具備高耐壓、高速開關(guān)特點的碳化硅器件給Single LLC帶來以下優(yōu)點:
減少功率器件數(shù)量,節(jié)省空間,簡化電路,降低故障率;
減少控制元件數(shù)量,簡化驅(qū)動電路,減少MCU使用數(shù)、減少端口數(shù)。
羅姆針對雙向充電樁的三相B6-PFC拓撲的方案使用1200V 碳化硅MOS.

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