Vienna整流+LLC構(gòu)成了充電樁的基本電路優(yōu)化接口數(shù)據(jù)速率
發(fā)布時(shí)間:2021/8/30 8:42:48 訪問(wèn)次數(shù):1270
Vienna整流+LLC構(gòu)成了充電樁的基本電路。如果考慮設(shè)備成本,羅姆推薦使用硅器件、FRD(快恢復(fù)二極管)方案;如果需要高功率密度和高效率,則推薦使用碳化硅 MOS/SBD方案。
PFC部分更適合使用碳化硅器件,高溫時(shí)導(dǎo)通電阻增加較少,能實(shí)現(xiàn)高效率,同時(shí)可抑制發(fā)熱,使用更小的散熱板.
碳化硅器件的恢復(fù)損耗非常小,開關(guān)損耗較小,能夠提高工作頻率,有助于輸入線圈的小型化。作為硅器件解決方案,也可以使用具有高速開關(guān)的羅姆SJ-MOSFET“R65xKN系列”以及IGBT“RGW系列”。
ADAQ23875利用ADI公司的iPassives®技術(shù),還集成了關(guān)鍵的無(wú)源元件,這些元件具有出色的匹配和漂移特性,最大程度地減少與溫度有關(guān)的誤差源,并優(yōu)化性能.
ADC驅(qū)動(dòng)器級(jí)的快速設(shè)定,具有全差分或單端至差分輸入,無(wú)SAR ADC的延遲,為高通道數(shù)多路復(fù)用信號(hào)鏈架構(gòu)和控制環(huán)路應(yīng)用提供了獨(dú)特的解決方案.
ADAQ23875采用串行低壓差分信號(hào)(LVDS)數(shù)字接口,提供單路或雙路輸出模式,讓用戶能夠優(yōu)化每個(gè)應(yīng)用的接口數(shù)據(jù)速率.
Vienna整流+LLC構(gòu)成了充電樁的基本電路。如果考慮設(shè)備成本,羅姆推薦使用硅器件、FRD(快恢復(fù)二極管)方案;如果需要高功率密度和高效率,則推薦使用碳化硅 MOS/SBD方案。
PFC部分更適合使用碳化硅器件,高溫時(shí)導(dǎo)通電阻增加較少,能實(shí)現(xiàn)高效率,同時(shí)可抑制發(fā)熱,使用更小的散熱板.
碳化硅器件的恢復(fù)損耗非常小,開關(guān)損耗較小,能夠提高工作頻率,有助于輸入線圈的小型化。作為硅器件解決方案,也可以使用具有高速開關(guān)的羅姆SJ-MOSFET“R65xKN系列”以及IGBT“RGW系列”。
ADAQ23875利用ADI公司的iPassives®技術(shù),還集成了關(guān)鍵的無(wú)源元件,這些元件具有出色的匹配和漂移特性,最大程度地減少與溫度有關(guān)的誤差源,并優(yōu)化性能.
ADC驅(qū)動(dòng)器級(jí)的快速設(shè)定,具有全差分或單端至差分輸入,無(wú)SAR ADC的延遲,為高通道數(shù)多路復(fù)用信號(hào)鏈架構(gòu)和控制環(huán)路應(yīng)用提供了獨(dú)特的解決方案.
ADAQ23875采用串行低壓差分信號(hào)(LVDS)數(shù)字接口,提供單路或雙路輸出模式,讓用戶能夠優(yōu)化每個(gè)應(yīng)用的接口數(shù)據(jù)速率.
熱門點(diǎn)擊
- 誤差放大器的輸出將確認(rèn)其輸出已經(jīng)超過(guò)最大PW
- VDS電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上接收板自動(dòng)捕獲衛(wèi)
- 示波器測(cè)試輸出電壓元件應(yīng)放置在柵格上且相互平
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