MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷的FAULT引腳
發(fā)布時間:2021/8/30 19:28:13 訪問次數(shù):441
集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.器件具有可編程軟起動和延遲,可編輸入欠壓鎖住閾值(UVLO),可編程的電源良好閾值,以及用于輸出UVLO/輸入UVLO報告的PWRGD引腳,而用于故障報告的FAULT引腳.
輸入引腳的擴(kuò)展范圍很容易和微控制器,DSP單元和霍爾傳感器接口.器件的工作溫度為-40C 到125C.帶滯后和下拉的3.3V到15V兼容的輸入.
制造商: Rectron
產(chǎn)品種類: 二極管 - 通用,功率,開關(guān)
RoHS: 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: Switching Diodes
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOD-123-2
峰值反向電壓: 100 V
最大浪涌電流: 2 A
If - 正向電流: 300 mA
配置: Single
恢復(fù)時間: 4 ns
Vf - 正向電壓: 25 V
Ir - 反向電流 : 1 uA
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
商標(biāo): Rectron
最大二極管電容: 2 pF
Pd-功率耗散: 400 mW
產(chǎn)品類型: Diodes - General Purpose, Power, Switching
工廠包裝數(shù)量: 10000
子類別: Diodes & Rectifiers
典型的LLC串聯(lián)諧振電路,感性負(fù)載下MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下,電流相位上會超前電壓,因此保證了MOSFET運行的ZVS。
要保證MOSFET運行在感性區(qū),諧振電感上的諧振電流必須足夠大,以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區(qū)時間內(nèi)被完全釋放干凈。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
集成的功率MOSFET在12V電源通路中的RDS(ON)為1.9mΩ.器件具有可編程軟起動和延遲,可編輸入欠壓鎖住閾值(UVLO),可編程的電源良好閾值,以及用于輸出UVLO/輸入UVLO報告的PWRGD引腳,而用于故障報告的FAULT引腳.
輸入引腳的擴(kuò)展范圍很容易和微控制器,DSP單元和霍爾傳感器接口.器件的工作溫度為-40C 到125C.帶滯后和下拉的3.3V到15V兼容的輸入.
制造商: Rectron
產(chǎn)品種類: 二極管 - 通用,功率,開關(guān)
RoHS: 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: Switching Diodes
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOD-123-2
峰值反向電壓: 100 V
最大浪涌電流: 2 A
If - 正向電流: 300 mA
配置: Single
恢復(fù)時間: 4 ns
Vf - 正向電壓: 25 V
Ir - 反向電流 : 1 uA
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Reel
商標(biāo): Rectron
最大二極管電容: 2 pF
Pd-功率耗散: 400 mW
產(chǎn)品類型: Diodes - General Purpose, Power, Switching
工廠包裝數(shù)量: 10000
子類別: Diodes & Rectifiers
典型的LLC串聯(lián)諧振電路,感性負(fù)載下MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下,電流相位上會超前電壓,因此保證了MOSFET運行的ZVS。
要保證MOSFET運行在感性區(qū),諧振電感上的諧振電流必須足夠大,以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區(qū)時間內(nèi)被完全釋放干凈。
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