浪涌電壓全環(huán)路DRAM結(jié)構(gòu)的單個(gè)器件進(jìn)行了電氣分析
發(fā)布時(shí)間:2021/8/31 0:44:29 訪問(wèn)次數(shù):236
埋入式字線的DRAM單元中，晶體管通道位于鰭片中部附近，這里的形狀扭曲要比鰭片頂部嚴(yán)重。在這種情況下，受側(cè)壁鈍化的影響，該通道下方的鰭片CD也要大很多。
為評(píng)估AA形狀扭曲對(duì)器件性能的影響,我們用SEMulator3D建模了0.1、2.5和5度的側(cè)壁裂角以模擬不同程度的AA扭曲,并使用來(lái)自全環(huán)路DRAM結(jié)構(gòu)的單個(gè)器件進(jìn)行了電氣分析。
通過(guò)SEMulator3D分配電端口(源極、漏極、柵極和襯底）即可獲得電氣測(cè)量值,之后使用SEMulator3D內(nèi)置漂移/擴(kuò)散求解器即可計(jì)算不同程度AA扭曲可能導(dǎo)致的電氣性能變化。
制造商:Xilinx產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列RoHS:產(chǎn)品:Virtex-5系列:XC5VFX130T邏輯元件數(shù)量:131072 LE自適應(yīng)邏輯模塊 - ALM:20480 ALM嵌入式內(nèi)存:10.48 Mbit輸入/輸出端數(shù)量:840 I/O工作電源電壓:1 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 100 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FCBGA-1738數(shù)據(jù)速率:6.5 Gb/s商標(biāo):Xilinx分布式RAM:1580 kbit內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:10728 kbit最大工作頻率:550 MHz濕度敏感性:Yes邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:10240 LAB收發(fā)器數(shù)量:20 Transceiver產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array工廠包裝數(shù)量:1子類別:Programmable Logic ICs商標(biāo)名:Virtex
通過(guò)這種建模技術(shù)，我們可以創(chuàng)建DRAM器件的3D模型并模擬出AA形狀扭曲現(xiàn)象。通過(guò)SEMulator3D模擬的DRAM 3D結(jié)構(gòu)和平面圖、布局設(shè)計(jì)和圖形相關(guān)掩膜。
通過(guò)對(duì)比可以看出，AA扭曲形態(tài)是類似的，這證明模型能正確反映實(shí)際制造結(jié)果。不同鰭片高度的AA剖面圖，從中可以看出結(jié)構(gòu)底部的扭曲幅度要遠(yuǎn)高于器件頂部的扭曲。
當(dāng)線路上出現(xiàn)浪涌電壓時(shí)，浪涌抑制器就會(huì)起作用，把浪涌能量旁路到大地，浪涌電流（可達(dá)幾千安培）就會(huì)在地線上產(chǎn)生電壓，這種電壓可以很高，甚至?xí)_(dá)到干擾數(shù)字電路的程度。
(素材來(lái)源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
埋入式字線的DRAM單元中，晶體管通道位于鰭片中部附近，這里的形狀扭曲要比鰭片頂部嚴(yán)重。在這種情況下，受側(cè)壁鈍化的影響，該通道下方的鰭片CD也要大很多。
為評(píng)估AA形狀扭曲對(duì)器件性能的影響,我們用SEMulator3D建模了0.1、2.5和5度的側(cè)壁裂角以模擬不同程度的AA扭曲,并使用來(lái)自全環(huán)路DRAM結(jié)構(gòu)的單個(gè)器件進(jìn)行了電氣分析。
通過(guò)SEMulator3D分配電端口(源極、漏極、柵極和襯底）即可獲得電氣測(cè)量值,之后使用SEMulator3D內(nèi)置漂移/擴(kuò)散求解器即可計(jì)算不同程度AA扭曲可能導(dǎo)致的電氣性能變化。
制造商:Xilinx產(chǎn)品種類:FPGA - 現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列RoHS:產(chǎn)品:Virtex-5系列:XC5VFX130T邏輯元件數(shù)量:131072 LE自適應(yīng)邏輯模塊 - ALM:20480 ALM嵌入式內(nèi)存:10.48 Mbit輸入/輸出端數(shù)量:840 I/O工作電源電壓:1 V最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 100 C安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:FCBGA-1738數(shù)據(jù)速率:6.5 Gb/s商標(biāo):Xilinx分布式RAM:1580 kbit內(nèi)嵌式塊RAM - EBR:10728 kbit最大工作頻率:550 MHz濕度敏感性:Yes邏輯數(shù)組塊數(shù)量——LAB:10240 LAB收發(fā)器數(shù)量:20 Transceiver產(chǎn)品類型:FPGA - Field Programmable Gate Array工廠包裝數(shù)量:1子類別:Programmable Logic ICs商標(biāo)名:Virtex
通過(guò)這種建模技術(shù)，我們可以創(chuàng)建DRAM器件的3D模型并模擬出AA形狀扭曲現(xiàn)象。通過(guò)SEMulator3D模擬的DRAM 3D結(jié)構(gòu)和平面圖、布局設(shè)計(jì)和圖形相關(guān)掩膜。
通過(guò)對(duì)比可以看出，AA扭曲形態(tài)是類似的，這證明模型能正確反映實(shí)際制造結(jié)果。不同鰭片高度的AA剖面圖，從中可以看出結(jié)構(gòu)底部的扭曲幅度要遠(yuǎn)高于器件頂部的扭曲。
當(dāng)線路上出現(xiàn)浪涌電壓時(shí)，浪涌抑制器就會(huì)起作用，把浪涌能量旁路到大地，浪涌電流（可達(dá)幾千安培）就會(huì)在地線上產(chǎn)生電壓，這種電壓可以很高，甚至?xí)_(dá)到干擾數(shù)字電路的程度。
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