新的集成功率系統(tǒng)封裝使電源尺寸比基于硅的設(shè)計(jì)縮小80%

發(fā)布時間:2021/9/8 13:02:14 訪問次數(shù):157

因?yàn)镚aN晶體管可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，新的集成功率系統(tǒng)封裝可使電源尺寸比基于硅的設(shè)計(jì)縮小 80%，并且具有很高的穩(wěn)健性和可靠性。

MasterGaN3的兩個GaN功率晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))不相等，分別為225mΩ和 450mΩ,使其適用于軟開關(guān)和有源整流變換器。

在MasterGaN5中,兩個晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))都是450mΩ，適用于LLC諧振和有源鉗位反激變換器等拓?fù)洹?/span>

制造商:Nexperia 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:6.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:20 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 12 V, + 12 V Vgs th-柵源極閾值電壓:750 mV Qg-柵極電荷:9.9 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.19 W 通道模式:Enhancement 資格:AEC-Q101 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標(biāo):Nexperia 配置:Single 下降時間:22 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:40 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 晶體管類型:1 N-Channel 典型關(guān)閉延遲時間:44 ns 典型接通延遲時間:16 ns 零件號別名:934068717215 單位重量:8 mg

微處理器子系統(tǒng)具有64位RV64GC Quad應(yīng)用處理器核,Fmax of 667 MHz (–40 C to 100 C Tj), 3.125 CoreMarks/MHz, 1.714 DMIPS/MHz,單誤差修正雙誤差檢測(SECDED)的L1存儲器子系統(tǒng),32KB 8路組相連的指令緩存和選擇28KB緊密集成存儲和32KB 8路組相連數(shù)據(jù)緩存.

此外還有存儲器管理單元(MMU),物理存儲器保護(hù)(PMP)單元,一個64位RV64IMAC監(jiān)測處理器核, Fmax of 667 MHz (–40 C 到100 C Tj), 3.125 CoreMarks/MHz, 1.714 DMIPS/MHz.

16KB兩路相連指令緩存,8KB便簽存儲器和PMP單元.

(素材來源：eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

MasterGaN3的兩個GaN功率晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))不相等，分別為225mΩ和 450mΩ,使其適用于軟開關(guān)和有源整流變換器。

在MasterGaN5中,兩個晶體管的導(dǎo)通電阻值(Rds(on))都是450mΩ，適用于LLC諧振和有源鉗位反激變換器等拓?fù)洹?/span>

此外還有存儲器管理單元(MMU),物理存儲器保護(hù)(PMP)單元,一個64位RV64IMAC監(jiān)測處理器核, Fmax of 667 MHz (–40 C 到100 C Tj), 3.125 CoreMarks/MHz, 1.714 DMIPS/MHz.

16KB兩路相連指令緩存,8KB便簽存儲器和PMP單元.

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