電流限制架構(gòu)和線路相位檢測在240W電源中的損耗約4W
發(fā)布時間:2021/9/19 10:33:39 訪問次數(shù):729
臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器,是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。
在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級的能效通常為97%,LLC電路實現(xiàn)類似的性能。
然而,用 "圖騰柱 "配置的開關(guān)取代有損耗的二極管,并拉入升壓PFC功能,可減少電橋損耗,顯著提高整體能效。此外,NCP1680可適用于任何開關(guān)類型,無論是超級結(jié)硅MOSFET還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開關(guān)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.1 mOhms
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: OptiMOS-T2
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP90N04S402XK SP000646200 IPP90N04S402AKSA1
單位重量: 2 g

新的NCP1680 CrM圖騰柱PFC控制器采用新穎的電流限制架構(gòu)和線路相位檢測,同時結(jié)合經(jīng)驗證的控制算法,提供高性價比的圖騰柱 PFC方案,而不影響性能。
該 IC 的核心是內(nèi)部補償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用含谷底開關(guān)的恒定導(dǎo)通時間 CrM 架構(gòu)。
安森美半導(dǎo)體已發(fā)布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封裝的650V SiC MOSFET,并將繼續(xù)猛增該產(chǎn)品系列。 此外,安森美半導(dǎo)體提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產(chǎn)品組合。
該高度集成的器件可使電源設(shè)計在通用電源 (90 至 265 Vac) 下以高達(dá)350 W的建議功率水平工作。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
臨界導(dǎo)通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器,是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。
在傳統(tǒng)的PFC電路中,整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W,占總損耗的20%左右。相比之下,PFC級的能效通常為97%,LLC電路實現(xiàn)類似的性能。
然而,用 "圖騰柱 "配置的開關(guān)取代有損耗的二極管,并拉入升壓PFC功能,可減少電橋損耗,顯著提高整體能效。此外,NCP1680可適用于任何開關(guān)類型,無論是超級結(jié)硅MOSFET還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開關(guān)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.1 mOhms
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: OptiMOS-T2
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP90N04S402XK SP000646200 IPP90N04S402AKSA1
單位重量: 2 g

新的NCP1680 CrM圖騰柱PFC控制器采用新穎的電流限制架構(gòu)和線路相位檢測,同時結(jié)合經(jīng)驗證的控制算法,提供高性價比的圖騰柱 PFC方案,而不影響性能。
該 IC 的核心是內(nèi)部補償數(shù)字環(huán)路控制。該創(chuàng)新器件采用含谷底開關(guān)的恒定導(dǎo)通時間 CrM 架構(gòu)。
安森美半導(dǎo)體已發(fā)布采用TO-247-4L和D2PAK-7L封裝的650V SiC MOSFET,并將繼續(xù)猛增該產(chǎn)品系列。 此外,安森美半導(dǎo)體提供完整的硅基 650 V SUPERFET® III MOSFET 產(chǎn)品組合。
該高度集成的器件可使電源設(shè)計在通用電源 (90 至 265 Vac) 下以高達(dá)350 W的建議功率水平工作。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
熱門點擊
- 何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DRAM
- 直流電壓增加到最高4.1V的最高可以提高電動
- 電動機連接到正確的霍爾輸入和輸出相位包括四個
- GPS OEM接收板在任意時刻能接收視野范圍
- 兩個輸出驅(qū)動器間的內(nèi)部功能隔離允許工作電壓高
- 快速模擬比較器外接低通濾波器和高達(dá)7個輸出C
- 離線半橋功率拓?fù)涞牡塆aN功率開關(guān)嚴(yán)格要
- 異步和同步串行接口集成柵極驅(qū)動器和增強模式半
- 自動關(guān)機與喚醒功能可在電流消耗低于1μA的關(guān)
- 8.4Gbps突破性數(shù)據(jù)傳輸速率解決方案提供
推薦技術(shù)資料
- 單片機版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]