隔離型雙通道門極驅(qū)動(dòng)器電路板和系統(tǒng)單體做噪聲評(píng)估

發(fā)布時(shí)間:2021/9/19 10:37:01 訪問次數(shù):86

車載引擎控制單元和FA設(shè)備的異常檢測(cè)系統(tǒng)等需要在惡劣環(huán)境下進(jìn)行高速感測(cè)的車載和工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出具備超強(qiáng)抗EMI性能*1（以下簡稱“抗干擾性能”）的軌到軌輸入輸出*2高速CMOS運(yùn)算放大器*3“BD87581YG-C（單通道產(chǎn)品）”和“BD87582YFVM-C（雙通道產(chǎn)品）”。

隨著用于電動(dòng)汽車和ADAS中的汽車電子系統(tǒng)電子化和高密度化日益加速,噪聲環(huán)境也變得越來越嚴(yán)峻。

通常，在汽車開發(fā)中，難以對(duì)電路板和系統(tǒng)單體做噪聲評(píng)估，一般需要組裝后再進(jìn)行評(píng)估，但一旦評(píng)估結(jié)果NG，就需要大規(guī)模修改，因此降噪設(shè)計(jì)一直是一個(gè)重大課題。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.88 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 134 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 30 ns

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 16 ns

系列: OptiMOS-T2

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns

典型接通延遲時(shí)間: 27 ns

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: IPP120N04S402XK SP000764734 IPP120N04S402AKSA1

單位重量: 2 g

由于內(nèi)置非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)，在頻率返走工作期間谷底同步導(dǎo)通，因此可滿足現(xiàn)代能效標(biāo)準(zhǔn)，包括那些要求在輕載下提供高能效的標(biāo)準(zhǔn)。

NCP51561 是隔離型雙通道門極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。

新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開關(guān)，提供短且匹配的傳播延遲。兩個(gè)獨(dú)立的 5 kVRMS (UL1577 級(jí)) 電隔離門極驅(qū)動(dòng)器通道可用作兩個(gè)下橋、兩個(gè)上橋開關(guān)或一個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器，具有可編程的死區(qū)時(shí)間。

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