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新產(chǎn)品±10mV以?xún)?nèi)消除尖峰脈沖干擾提高IoT系統(tǒng)可靠性

發(fā)布時(shí)間:2021/9/19 10:50:09 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):603

MAX16162是Maxim基礎(chǔ)模擬器件家族的可靠保護(hù)IC,在輸入電壓達(dá)到相應(yīng)的電壓門(mén)限之前能夠消除尖峰脈沖的干擾。消除尖峰脈沖的干擾不僅提高IoT系統(tǒng)的可靠性,也對(duì)便攜式醫(yī)療監(jiān)護(hù)設(shè)備、可穿戴、基站、可編程邏輯控制器和自動(dòng)控制等系統(tǒng)意義重大。

MAX16162的耗流僅為825nA,在提供可靠保護(hù)的同時(shí),不會(huì)對(duì)有限的功率預(yù)算造成壓力。

該基礎(chǔ)模擬監(jiān)控IC的封裝尺寸為1.06mm x 0.73mm,比最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案減小23%,有助于開(kāi)發(fā)者節(jié)省電路板空間。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

系列: OptiMOS-T2

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: SP000646198 IPP8N4S4L4XK IPP80N04S4L04AKSA1

單位重量: 2 g

在“電子輻射抗擾度測(cè)試 ISO 11452-2”中,相對(duì)于普通產(chǎn)品在整個(gè)噪聲頻段的輸出電壓波動(dòng)±300mV以上,新產(chǎn)品僅為±10mV以?xún)?nèi),實(shí)現(xiàn)了非常出色的抗干擾性能。

由于無(wú)需針對(duì)各頻段噪聲采取降噪措施,不僅可以減少元器件數(shù)量(雙通道運(yùn)算放大器與普通產(chǎn)品相比,RC濾波元器件共可減少10件),還可減輕在系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用的傳感器等的降噪設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān),從而有助于減少應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)并提高應(yīng)用的可靠性。

(素材來(lái)源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

MAX16162是Maxim基礎(chǔ)模擬器件家族的可靠保護(hù)IC,在輸入電壓達(dá)到相應(yīng)的電壓門(mén)限之前能夠消除尖峰脈沖的干擾。消除尖峰脈沖的干擾不僅提高IoT系統(tǒng)的可靠性,也對(duì)便攜式醫(yī)療監(jiān)護(hù)設(shè)備、可穿戴、基站、可編程邏輯控制器和自動(dòng)控制等系統(tǒng)意義重大。

MAX16162的耗流僅為825nA,在提供可靠保護(hù)的同時(shí),不會(huì)對(duì)有限的功率預(yù)算造成壓力。

該基礎(chǔ)模擬監(jiān)控IC的封裝尺寸為1.06mm x 0.73mm,比最接近的競(jìng)爭(zhēng)方案減小23%,有助于開(kāi)發(fā)者節(jié)省電路板空間。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

系列: OptiMOS-T2

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: SP000646198 IPP8N4S4L4XK IPP80N04S4L04AKSA1

單位重量: 2 g

在“電子輻射抗擾度測(cè)試 ISO 11452-2”中,相對(duì)于普通產(chǎn)品在整個(gè)噪聲頻段的輸出電壓波動(dòng)±300mV以上,新產(chǎn)品僅為±10mV以?xún)?nèi),實(shí)現(xiàn)了非常出色的抗干擾性能。

由于無(wú)需針對(duì)各頻段噪聲采取降噪措施,不僅可以減少元器件數(shù)量(雙通道運(yùn)算放大器與普通產(chǎn)品相比,RC濾波元器件共可減少10件),還可減輕在系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用的傳感器等的降噪設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān),從而有助于減少應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)并提高應(yīng)用的可靠性。

(素材來(lái)源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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