通過監(jiān)測整個系統(tǒng)電源的緩升完全觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位的IC
發(fā)布時間:2021/9/19 10:45:22 訪問次數(shù):84
越來越多的IoT系統(tǒng)工程師轉(zhuǎn)向使用1V甚至更低的微控制器核電壓,而傳統(tǒng)的監(jiān)控電路會在如此低的輸入電壓下產(chǎn)生不穩(wěn)定輸出。使得系統(tǒng)在上電時容易發(fā)生故障,造成MCU在喚醒時處于不確定的狀態(tài),包括處理器I/O輸出不正確、讀數(shù)據(jù)錯誤或其它故障。
基礎(chǔ)模擬產(chǎn)品線的MAX16162nanoPower監(jiān)控電路,幫助設(shè)計師改善低壓IoT應(yīng)用的系統(tǒng)可靠性。
該監(jiān)控IC是業(yè)界首款通過監(jiān)測整個系統(tǒng)電源的緩升完全觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位的IC,從而避免上電期間低壓尖峰脈沖的干擾,提高系統(tǒng)可靠性。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: IPP80N06S4
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP80N06S4-07 SP001028666
單位重量: 2 g
新產(chǎn)品作為EMARMOUR™的運(yùn)算放大器系列產(chǎn)品,在ROHM的電波暗室中實施了“電子輻射抗擾度測試 ISO 11452-2”、“BCI測試 ISO 11452-4”、“近距離輻射抗擾度測試 ISO 11452-9”、“DPI測試 IEC 62132-4”這四種國際通行的抗擾度評估測試,并在這四種測試中都表現(xiàn)出了非常出色的性能。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
越來越多的IoT系統(tǒng)工程師轉(zhuǎn)向使用1V甚至更低的微控制器核電壓,而傳統(tǒng)的監(jiān)控電路會在如此低的輸入電壓下產(chǎn)生不穩(wěn)定輸出。使得系統(tǒng)在上電時容易發(fā)生故障,造成MCU在喚醒時處于不確定的狀態(tài),包括處理器I/O輸出不正確、讀數(shù)據(jù)錯誤或其它故障。
基礎(chǔ)模擬產(chǎn)品線的MAX16162nanoPower監(jiān)控電路,幫助設(shè)計師改善低壓IoT應(yīng)用的系統(tǒng)可靠性。
該監(jiān)控IC是業(yè)界首款通過監(jiān)測整個系統(tǒng)電源的緩升完全觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位的IC,從而避免上電期間低壓尖峰脈沖的干擾,提高系統(tǒng)可靠性。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 56 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: IPP80N06S4
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP80N06S4-07 SP001028666
單位重量: 2 g
新產(chǎn)品作為EMARMOUR™的運(yùn)算放大器系列產(chǎn)品,在ROHM的電波暗室中實施了“電子輻射抗擾度測試 ISO 11452-2”、“BCI測試 ISO 11452-4”、“近距離輻射抗擾度測試 ISO 11452-9”、“DPI測試 IEC 62132-4”這四種國際通行的抗擾度評估測試,并在這四種測試中都表現(xiàn)出了非常出色的性能。
(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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