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通過監(jiān)測整個系統(tǒng)電源的緩升完全觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位的IC

發(fā)布時間:2021/9/19 10:45:22 訪問次數(shù):84

越來越多的IoT系統(tǒng)工程師轉(zhuǎn)向使用1V甚至更低的微控制器核電壓,而傳統(tǒng)的監(jiān)控電路會在如此低的輸入電壓下產(chǎn)生不穩(wěn)定輸出。使得系統(tǒng)在上電時容易發(fā)生故障,造成MCU在喚醒時處于不確定的狀態(tài),包括處理器I/O輸出不正確、讀數(shù)據(jù)錯誤或其它故障。

基礎(chǔ)模擬產(chǎn)品線的MAX16162nanoPower監(jiān)控電路,幫助設(shè)計師改善低壓IoT應(yīng)用的系統(tǒng)可靠性。

該監(jiān)控IC是業(yè)界首款通過監(jiān)測整個系統(tǒng)電源的緩升完全觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位的IC,從而避免上電期間低壓尖峰脈沖的干擾,提高系統(tǒng)可靠性。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 56 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 79 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

系列: IPP80N06S4

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號別名: IPP80N06S4-07 SP001028666

單位重量: 2 g

“EMARMOUR”是ROHM產(chǎn)品的品牌名,該品牌產(chǎn)品融合了ROHM的“電路設(shè)計技術(shù)”、“布局技術(shù)”、“工藝技術(shù)”優(yōu)勢開發(fā)而成,僅用于在ISO 11452-2國際抗擾度評估測試中,在整個噪聲頻段輸出電壓波動都非常小的抗干擾性能出色的產(chǎn)品。

新產(chǎn)品作為EMARMOUR™的運(yùn)算放大器系列產(chǎn)品,在ROHM的電波暗室中實施了“電子輻射抗擾度測試 ISO 11452-2”、“BCI測試 ISO 11452-4”、“近距離輻射抗擾度測試 ISO 11452-9”、“DPI測試 IEC 62132-4”這四種國際通行的抗擾度評估測試,并在這四種測試中都表現(xiàn)出了非常出色的性能。


(素材來源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


越來越多的IoT系統(tǒng)工程師轉(zhuǎn)向使用1V甚至更低的微控制器核電壓,而傳統(tǒng)的監(jiān)控電路會在如此低的輸入電壓下產(chǎn)生不穩(wěn)定輸出。使得系統(tǒng)在上電時容易發(fā)生故障,造成MCU在喚醒時處于不確定的狀態(tài),包括處理器I/O輸出不正確、讀數(shù)據(jù)錯誤或其它故障。

基礎(chǔ)模擬產(chǎn)品線的MAX16162nanoPower監(jiān)控電路,幫助設(shè)計師改善低壓IoT應(yīng)用的系統(tǒng)可靠性。

該監(jiān)控IC是業(yè)界首款通過監(jiān)測整個系統(tǒng)電源的緩升完全觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位的IC,從而避免上電期間低壓尖峰脈沖的干擾,提高系統(tǒng)可靠性。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 7.4 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 56 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 79 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

系列: IPP80N06S4

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號別名: IPP80N06S4-07 SP001028666

單位重量: 2 g

“EMARMOUR”是ROHM產(chǎn)品的品牌名,該品牌產(chǎn)品融合了ROHM的“電路設(shè)計技術(shù)”、“布局技術(shù)”、“工藝技術(shù)”優(yōu)勢開發(fā)而成,僅用于在ISO 11452-2國際抗擾度評估測試中,在整個噪聲頻段輸出電壓波動都非常小的抗干擾性能出色的產(chǎn)品。

新產(chǎn)品作為EMARMOUR™的運(yùn)算放大器系列產(chǎn)品,在ROHM的電波暗室中實施了“電子輻射抗擾度測試 ISO 11452-2”、“BCI測試 ISO 11452-4”、“近距離輻射抗擾度測試 ISO 11452-9”、“DPI測試 IEC 62132-4”這四種國際通行的抗擾度評估測試,并在這四種測試中都表現(xiàn)出了非常出色的性能。


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