模型得到電氣特性和溫度特性仿真值與實(shí)際IC的值完全一致

發(fā)布時(shí)間:2021/9/19 10:51:54 訪問(wèn)次數(shù):115

由于抗干擾性能非常出色，有助于解決系統(tǒng)開(kāi)發(fā)過(guò)程中的噪聲干擾問(wèn)題，因而可減少設(shè)計(jì)工時(shí)并提高系統(tǒng)的可靠性。

“ROHM Real Model*4”是一種高精度的SPICE模型，通過(guò)該模型得到的電氣特性和溫度特性仿真值與實(shí)際IC的值完全一致，以防止實(shí)際試制后的返工，客戶可在ROHM官網(wǎng)上進(jìn)行驗(yàn)證。

今后，ROHM將會(huì)繼續(xù)擴(kuò)大新產(chǎn)品陣容，并且還會(huì)將高抗干擾技術(shù)應(yīng)用到電源IC等產(chǎn)品中，為進(jìn)一步減少各種應(yīng)用的設(shè)計(jì)工時(shí)和提高應(yīng)用的可靠性貢獻(xiàn)力量。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 110 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: IPP80N06S2-07 SP001067876

單位重量: 2 g

消除低壓尖峰毛刺的影響：即使輸入電壓低于0.6V，也能夠保證穩(wěn)定的、無(wú)擾動(dòng)的上電復(fù)位輸出，從而避免系統(tǒng)故障。

nanoPower：耗流僅為825nA。最小尺寸：比最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品減小23%。

工作電壓低于1V的IC在節(jié)能產(chǎn)品、IoT產(chǎn)品急速增長(zhǎng)的今天發(fā)揮著重大作用，但如果設(shè)計(jì)不當(dāng)，則會(huì)帶來(lái)不可接受的可靠性風(fēng)險(xiǎn)。

低壓、無(wú)擾動(dòng)監(jiān)控IC，使系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員能夠避免上電期間的系統(tǒng)錯(cuò)誤。

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