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中繼器應(yīng)用中的n41子頻段上行鏈路和下行鏈路的應(yīng)用需求

發(fā)布時(shí)間:2021/9/19 10:58:38 訪問次數(shù):750

Qorvo®的QPQ1298體聲波 (BAW) 濾波器。QPQ1298是一款高性能BAW 5G濾波器,設(shè)計(jì)用于基站基礎(chǔ)設(shè)施、小型基站和中繼器應(yīng)用中的n41子頻段上行鏈路和下行鏈路。

Qorvo QPQ1298具有低插入損耗和高衰減等特性,對(duì)于在高數(shù)據(jù)容量的農(nóng)村、郊區(qū)和高密度城市地區(qū)同時(shí)支持5G蜂窩頻段和Wi-Fi操作至關(guān)重要。

貿(mào)澤同時(shí)還提供QPQ1298EVB評(píng)估板。此評(píng)估板具有一個(gè)預(yù)安裝的QPQ1298濾波器和兩個(gè)用于射頻輸入和輸出的50Ω SMA連接器,并提供了應(yīng)用電路示例,能夠加快整合至現(xiàn)有設(shè)計(jì)的原型開發(fā)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 140 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 13 ns

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 9 ns

系列: OptiMOS-T2

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 62 ns

典型接通延遲時(shí)間: 14 ns

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: SP000275328 IPP8N3S4L3XK IPP80N03S4L03AKSA1

單位重量: 2 g

基礎(chǔ)模擬IC擁有Maxim在低功耗、高性能、單功能產(chǎn)品方面的一貫優(yōu)勢(shì),有助于推動(dòng)多種應(yīng)用和市場(chǎng)領(lǐng)域的下一代創(chuàng)新。

cCI-A3525 主板支持全新 PICMG® CPCI-S.0 CompactPCI® Serial Rev.2.0序列傳輸標(biāo)準(zhǔn),可滿足更高效能的應(yīng)用需求.

堅(jiān)固耐用且經(jīng)過尺寸、重量與功耗(SWaP)優(yōu)化的 3U 模塊,適用于鐵路運(yùn)輸、航空航天、國(guó)防以及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的新一代任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用.


(素材來(lái)源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


Qorvo®的QPQ1298體聲波 (BAW) 濾波器。QPQ1298是一款高性能BAW 5G濾波器,設(shè)計(jì)用于基站基礎(chǔ)設(shè)施、小型基站和中繼器應(yīng)用中的n41子頻段上行鏈路和下行鏈路。

Qorvo QPQ1298具有低插入損耗和高衰減等特性,對(duì)于在高數(shù)據(jù)容量的農(nóng)村、郊區(qū)和高密度城市地區(qū)同時(shí)支持5G蜂窩頻段和Wi-Fi操作至關(guān)重要。

貿(mào)澤同時(shí)還提供QPQ1298EVB評(píng)估板。此評(píng)估板具有一個(gè)預(yù)安裝的QPQ1298濾波器和兩個(gè)用于射頻輸入和輸出的50Ω SMA連接器,并提供了應(yīng)用電路示例,能夠加快整合至現(xiàn)有設(shè)計(jì)的原型開發(fā)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 140 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

下降時(shí)間: 13 ns

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 9 ns

系列: OptiMOS-T2

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 62 ns

典型接通延遲時(shí)間: 14 ns

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: SP000275328 IPP8N3S4L3XK IPP80N03S4L03AKSA1

單位重量: 2 g

基礎(chǔ)模擬IC擁有Maxim在低功耗、高性能、單功能產(chǎn)品方面的一貫優(yōu)勢(shì),有助于推動(dòng)多種應(yīng)用和市場(chǎng)領(lǐng)域的下一代創(chuàng)新。

cCI-A3525 主板支持全新 PICMG® CPCI-S.0 CompactPCI® Serial Rev.2.0序列傳輸標(biāo)準(zhǔn),可滿足更高效能的應(yīng)用需求.

堅(jiān)固耐用且經(jīng)過尺寸、重量與功耗(SWaP)優(yōu)化的 3U 模塊,適用于鐵路運(yùn)輸、航空航天、國(guó)防以及工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的新一代任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用.


(素材來(lái)源:eepw和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


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