路由器到低功耗移動(dòng)應(yīng)用(LPDDR5)家居控制和語音輔助設(shè)備
發(fā)布時(shí)間:2021/9/24 18:14:45 訪問次數(shù):434
新一代多重時(shí)間可編程電源管理 IC (PMIC)---ACT88327/8/9/1,該電源管理 IC 針對高性能和緊湊設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。
Qorvo ACT88327/8/9/1 恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) PMIC 系列能夠?yàn)槎喾N應(yīng)用提供設(shè)計(jì)靈活性,從而幫助加快產(chǎn)品上市時(shí)間,具體包括從 SSD 卡、計(jì)算機(jī)視覺(如安保攝像頭)和路由器到低功耗移動(dòng)應(yīng)用 (LPDDR5)、家居控制和語音輔助設(shè)備。
制造商可以實(shí)時(shí)調(diào)試設(shè)計(jì)和更改設(shè)置,無需更改任何外部元件。
產(chǎn)品種類: 門驅(qū)動(dòng)器
RoHS: 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers
類型: Low Side
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵(lì)器數(shù)量: 1 Driver
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 9 A
電源電壓-最小: 4.5 V
電源電壓-最大: 18 V
配置: Non-Inverting
上升時(shí)間: 28 ns
下降時(shí)間: 26 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tube
商標(biāo): Microchip Technology
邏輯類型: CMOS, TTL
工作電源電流: 200 uA
工作電源電壓: 4.5 V to 18 V
Pd-功率耗散: 750 mW
產(chǎn)品類型: Gate Drivers
工廠包裝數(shù)量: 90
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術(shù): Si
單位重量: 540 mg
由于沒有內(nèi)部連接的開關(guān)節(jié)點(diǎn),SQJ264EP為設(shè)計(jì)人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性,包括同步降壓或同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。
由于可在超過+175℃的高溫環(huán)境下工作,雙MOSFET能夠提供信息娛樂系統(tǒng)、顯示器、LED照明以及電動(dòng)自行車等汽車應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。
新一代多重時(shí)間可編程電源管理 IC (PMIC)---ACT88327/8/9/1,該電源管理 IC 針對高性能和緊湊設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。
Qorvo ACT88327/8/9/1 恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) PMIC 系列能夠?yàn)槎喾N應(yīng)用提供設(shè)計(jì)靈活性,從而幫助加快產(chǎn)品上市時(shí)間,具體包括從 SSD 卡、計(jì)算機(jī)視覺(如安保攝像頭)和路由器到低功耗移動(dòng)應(yīng)用 (LPDDR5)、家居控制和語音輔助設(shè)備。
制造商可以實(shí)時(shí)調(diào)試設(shè)計(jì)和更改設(shè)置,無需更改任何外部元件。
產(chǎn)品種類: 門驅(qū)動(dòng)器
RoHS: 詳細(xì)信息
產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers
類型: Low Side
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
激勵(lì)器數(shù)量: 1 Driver
輸出端數(shù)量: 1 Output
輸出電流: 9 A
電源電壓-最小: 4.5 V
電源電壓-最大: 18 V
配置: Non-Inverting
上升時(shí)間: 28 ns
下降時(shí)間: 26 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tube
商標(biāo): Microchip Technology
邏輯類型: CMOS, TTL
工作電源電流: 200 uA
工作電源電壓: 4.5 V to 18 V
Pd-功率耗散: 750 mW
產(chǎn)品類型: Gate Drivers
工廠包裝數(shù)量: 90
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術(shù): Si
單位重量: 540 mg
由于沒有內(nèi)部連接的開關(guān)節(jié)點(diǎn),SQJ264EP為設(shè)計(jì)人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性,包括同步降壓或同步升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。
由于可在超過+175℃的高溫環(huán)境下工作,雙MOSFET能夠提供信息娛樂系統(tǒng)、顯示器、LED照明以及電動(dòng)自行車等汽車應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。
熱門點(diǎn)擊
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- 數(shù)字FIR濾波器接收噪聲時(shí)合成相位噪聲低于0
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- 輸入PID調(diào)節(jié)器偏差e和偏差變化率ec同時(shí)輸
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