消費(fèi)類和企業(yè)無線網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)成本尺寸和散熱性能優(yōu)勢(shì)
發(fā)布時(shí)間:2021/9/27 12:34:41 訪問次數(shù):280
Qorvo 今天推出的QPF4656 和 QPF4632 在 Wi-Fi 6E 的擴(kuò)展帶寬支持的高功率水平下,提供可靠的性能和一流的能效,以及高速度和高吞吐量。
QPF4656 適用于消費(fèi)類 Wi-Fi 6E 路由器和網(wǎng)關(guān);QPF4632 適用于企業(yè)級(jí)以太網(wǎng)供電 (POE) Wi-Fi 6E 產(chǎn)品和應(yīng)用。
Qorvo Wi-Fi 6E FEM 采用緊湊型封裝,比當(dāng)前解決方案的功效高出 25%,有助于消費(fèi)類和企業(yè)無線網(wǎng)絡(luò)解決方案實(shí)現(xiàn)成本、尺寸和散熱性能優(yōu)勢(shì)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.88 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 134 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 30 ns
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 16 ns
系列: OptiMOS-T2
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns
典型接通延遲時(shí)間: 27 ns
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: IPP120N04S402XK SP000764734 IPP120N04S402AKSA1
單位重量: 2 g
不僅如此,該產(chǎn)品還獲得了日本無線工業(yè)及商貿(mào)聯(lián)合會(huì)(ARIB*3)和美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)(FCC*4)的相關(guān)認(rèn)證,可以直接在日本和美國(guó)使用。未來計(jì)劃逐步擴(kuò)展到其他國(guó)家和地區(qū)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Qorvo 今天推出的QPF4656 和 QPF4632 在 Wi-Fi 6E 的擴(kuò)展帶寬支持的高功率水平下,提供可靠的性能和一流的能效,以及高速度和高吞吐量。
QPF4656 適用于消費(fèi)類 Wi-Fi 6E 路由器和網(wǎng)關(guān);QPF4632 適用于企業(yè)級(jí)以太網(wǎng)供電 (POE) Wi-Fi 6E 產(chǎn)品和應(yīng)用。
Qorvo Wi-Fi 6E FEM 采用緊湊型封裝,比當(dāng)前解決方案的功效高出 25%,有助于消費(fèi)類和企業(yè)無線網(wǎng)絡(luò)解決方案實(shí)現(xiàn)成本、尺寸和散熱性能優(yōu)勢(shì)。
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.88 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 134 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 158 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 30 ns
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 16 ns
系列: OptiMOS-T2
工廠包裝數(shù)量: 500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns
典型接通延遲時(shí)間: 27 ns
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: IPP120N04S402XK SP000764734 IPP120N04S402AKSA1
單位重量: 2 g
不僅如此,該產(chǎn)品還獲得了日本無線工業(yè)及商貿(mào)聯(lián)合會(huì)(ARIB*3)和美國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)(FCC*4)的相關(guān)認(rèn)證,可以直接在日本和美國(guó)使用。未來計(jì)劃逐步擴(kuò)展到其他國(guó)家和地區(qū)。
(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
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