使用LPWA時每個終端均會產(chǎn)生通信費保護電源線電路功能
發(fā)布時間:2021/9/27 12:38:20 訪問次數(shù):88
因此,即使因新建大樓等環(huán)境變化造成通信受阻,也可以自動優(yōu)化中繼器之間的跳躍路徑,從而可以實現(xiàn)比其他通信標準更高的通信可靠性。
使用其他LPWA時,每個終端均會產(chǎn)生通信費,但采用Wi-SUN FAN則不需要通信費,并且可以低成本運行。

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 167 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 50 ns
正向跨導 - 最小值: -
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP120N08S4-03 SP000989106
單位重量: 2 g
新型eFuse IC“TCKE712BNL”,進一步豐富了eFuse IC產(chǎn)品線。該產(chǎn)品可重復使用,具有保護電源線電路的功能。
玻璃管熔斷器和貼片熔斷器等傳統(tǒng)物理熔斷器在過流狀態(tài)下物理切斷電源線,以起到保護電源線的作用,但一旦熔斷就必須更換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
因此,即使因新建大樓等環(huán)境變化造成通信受阻,也可以自動優(yōu)化中繼器之間的跳躍路徑,從而可以實現(xiàn)比其他通信標準更高的通信可靠性。
使用其他LPWA時,每個終端均會產(chǎn)生通信費,但采用Wi-SUN FAN則不需要通信費,并且可以低成本運行。

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 167 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 50 ns
正向跨導 - 最小值: -
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 60 ns
典型接通延遲時間: 30 ns
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IPP120N08S4-03 SP000989106
單位重量: 2 g
新型eFuse IC“TCKE712BNL”,進一步豐富了eFuse IC產(chǎn)品線。該產(chǎn)品可重復使用,具有保護電源線電路的功能。
玻璃管熔斷器和貼片熔斷器等傳統(tǒng)物理熔斷器在過流狀態(tài)下物理切斷電源線,以起到保護電源線的作用,但一旦熔斷就必須更換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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