浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

位置:51電子網(wǎng) » 技術資料 » 模擬技術

使用LPWA時每個終端均會產(chǎn)生通信費保護電源線電路功能

發(fā)布時間:2021/9/27 12:38:20 訪問次數(shù):88

Wi-SUN FAN是國際無線通信標準“Wi-SUN”(已在全球擁有超過9500萬臺的銷售業(yè)績)的最新標準,除了電力、天然氣和自來水的計量之外,在包括先進道路交通系統(tǒng)等構建智慧城市和智能電網(wǎng)所需的各種系統(tǒng)中,作為一種實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)社會的通信網(wǎng)絡技術被寄予厚望。

因此,即使因新建大樓等環(huán)境變化造成通信受阻,也可以自動優(yōu)化中繼器之間的跳躍路徑,從而可以實現(xiàn)比其他通信標準更高的通信可靠性。

使用其他LPWA時,每個終端均會產(chǎn)生通信費,但采用Wi-SUN FAN則不需要通信費,并且可以低成本運行。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 167 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 278 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 50 ns

正向跨導 - 最小值: -

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 15 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 60 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號別名: IPP120N08S4-03 SP000989106

單位重量: 2 g


就 SiT5008 而言,我們通過優(yōu)化我們的算法將頻率穩(wěn)定性提高了 10 倍,并且在兩個月內(nèi)就完成了產(chǎn)品交付。這種開發(fā)提速得以實現(xiàn),依靠的是我們的系統(tǒng)知識和我們對自動化的持續(xù)投入。

新型eFuse IC“TCKE712BNL”,進一步豐富了eFuse IC產(chǎn)品線。該產(chǎn)品可重復使用,具有保護電源線電路的功能。

玻璃管熔斷器和貼片熔斷器等傳統(tǒng)物理熔斷器在過流狀態(tài)下物理切斷電源線,以起到保護電源線的作用,但一旦熔斷就必須更換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

Wi-SUN FAN是國際無線通信標準“Wi-SUN”(已在全球擁有超過9500萬臺的銷售業(yè)績)的最新標準,除了電力、天然氣和自來水的計量之外,在包括先進道路交通系統(tǒng)等構建智慧城市和智能電網(wǎng)所需的各種系統(tǒng)中,作為一種實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)社會的通信網(wǎng)絡技術被寄予厚望。

因此,即使因新建大樓等環(huán)境變化造成通信受阻,也可以自動優(yōu)化中繼器之間的跳躍路徑,從而可以實現(xiàn)比其他通信標準更高的通信可靠性。

使用其他LPWA時,每個終端均會產(chǎn)生通信費,但采用Wi-SUN FAN則不需要通信費,并且可以低成本運行。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 167 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 278 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 50 ns

正向跨導 - 最小值: -

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 15 ns

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 60 ns

典型接通延遲時間: 30 ns

寬度: 4.4 mm

零件號別名: IPP120N08S4-03 SP000989106

單位重量: 2 g


就 SiT5008 而言,我們通過優(yōu)化我們的算法將頻率穩(wěn)定性提高了 10 倍,并且在兩個月內(nèi)就完成了產(chǎn)品交付。這種開發(fā)提速得以實現(xiàn),依靠的是我們的系統(tǒng)知識和我們對自動化的持續(xù)投入。

新型eFuse IC“TCKE712BNL”,進一步豐富了eFuse IC產(chǎn)品線。該產(chǎn)品可重復使用,具有保護電源線電路的功能。

玻璃管熔斷器和貼片熔斷器等傳統(tǒng)物理熔斷器在過流狀態(tài)下物理切斷電源線,以起到保護電源線的作用,但一旦熔斷就必須更換。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)

熱門點擊

 

推薦技術資料

泰克新發(fā)布的DSA830
   泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實現(xiàn)時域和頻域分析,DS... [詳細]
版權所有:51dzw.COM
深圳服務熱線:13692101218  13751165337
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡技術有限公司
付款方式


 復制成功!