通過與Bridgetek的合作，我們已經(jīng)能夠開發(fā)出一個能夠設(shè)定新基準的顯示系列。

高集成度的EVE解決方案意味著更快的反應(yīng)時間和更高的分辨率水平，同時節(jié)省寶貴的PCB空間和擁有更低的功耗，因此，我們決定采用一種平臺的方法，并將其應(yīng)用于整個家族產(chǎn)品系列，從較小的單元到最大的格式。

人們在與消費類產(chǎn)品互動時所熟悉的用戶體驗也提高了其他領(lǐng)域?qū)MI的期望。更高分辨率的顯示器和更快的響應(yīng)速度現(xiàn)在被廣泛應(yīng)用于不同的領(lǐng)域。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 140 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標名: OptiMOS

封裝: Tube

商標: Infineon Technologies

配置: Single

下降時間: 13 ns

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 9 ns

系列: OptiMOS-T2

工廠包裝數(shù)量: 50

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 62 ns

典型接通延遲時間: 14 ns

寬度: 4.4 mm

零件號別名: SP000275328 IPP8N3S4L3XK IPP80N03S4L03AKSA1

單位重量: 2 g

東芝將繼續(xù)強化eFuse IC產(chǎn)品線，以保護多種用途的電源線。

應(yīng)用：

電源線的電路保護

（筆記本電腦、游戲控制器、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實設(shè)備、智能音箱、掃地機器人、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器等）

特性：

關(guān)斷狀態(tài)下的反向阻斷電流功能

用戶定義的可調(diào)節(jié)過流／過壓保護功能

FLAG信號輸出功能

纖薄緊湊的WSON10封裝：3.00mm×3.00mm（典型值），厚度＝0.75mm（最大值）