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MediaTek出色省電技術(shù)和超高速連接技術(shù)提升用戶(hù)5G體驗(yàn)

發(fā)布時(shí)間:2021/9/27 13:10:19 訪問(wèn)次數(shù):201

全新的5G調(diào)制解調(diào)器M80,支持毫米波(mmWave)和Sub-6GHz 5G頻段。

在獨(dú)立組網(wǎng)(SA)和非獨(dú)立組網(wǎng)(NSA)下,M80 5G調(diào)制解調(diào)器支持超高的5G傳輸速率,最高下行速率可達(dá)7.67Gbps,上行速率峰值為3.76Gbps。

M80 5G調(diào)制解調(diào)器完整支持毫米波和Sub-6GHz 5G頻段,為設(shè)備制造商提供更高的靈活性。

M80 5G調(diào)制解調(diào)器不僅支持最新的全球移動(dòng)蜂窩網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范,還融合了MediaTek出色的省電技術(shù)和超高速連接技術(shù),提升用戶(hù)的5G體驗(yàn)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 77 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: IPP77N06S2-12 SP001061292

單位重量: 2 g

光學(xué)粘合技術(shù)為標(biāo)準(zhǔn)配置被集成到顯示器組件中,即使是單件也不例外,因此可以防止冷凝,減少內(nèi)部反射,提高光學(xué)性能,并提供更高的耐用性。

在Bridgetek創(chuàng)新思維的幫助下,新的Riverdi顯示器經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可滿(mǎn)足最苛刻的任務(wù)。

它們將應(yīng)用于醫(yī)療診斷儀器、家庭保健監(jiān)測(cè)設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、自動(dòng)售貨機(jī)等領(lǐng)域。另外,這些產(chǎn)品具有超強(qiáng)的電磁干擾(EMI)和靜電放電(ESD)抗擾特性,工作溫度范圍為-20°C至+70°C。


(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

全新的5G調(diào)制解調(diào)器M80,支持毫米波(mmWave)和Sub-6GHz 5G頻段。

在獨(dú)立組網(wǎng)(SA)和非獨(dú)立組網(wǎng)(NSA)下,M80 5G調(diào)制解調(diào)器支持超高的5G傳輸速率,最高下行速率可達(dá)7.67Gbps,上行速率峰值為3.76Gbps。

M80 5G調(diào)制解調(diào)器完整支持毫米波和Sub-6GHz 5G頻段,為設(shè)備制造商提供更高的靈活性。

M80 5G調(diào)制解調(diào)器不僅支持最新的全球移動(dòng)蜂窩網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范,還融合了MediaTek出色的省電技術(shù)和超高速連接技術(shù),提升用戶(hù)的5G體驗(yàn)。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 77 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 12 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 60 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Tube

商標(biāo): Infineon Technologies

配置: Single

高度: 15.65 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET

工廠包裝數(shù)量: 50

子類(lèi)別: MOSFETs

晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

零件號(hào)別名: IPP77N06S2-12 SP001061292

單位重量: 2 g

光學(xué)粘合技術(shù)為標(biāo)準(zhǔn)配置被集成到顯示器組件中,即使是單件也不例外,因此可以防止冷凝,減少內(nèi)部反射,提高光學(xué)性能,并提供更高的耐用性。

在Bridgetek創(chuàng)新思維的幫助下,新的Riverdi顯示器經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可滿(mǎn)足最苛刻的任務(wù)。

它們將應(yīng)用于醫(yī)療診斷儀器、家庭保健監(jiān)測(cè)設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、自動(dòng)售貨機(jī)等領(lǐng)域。另外,這些產(chǎn)品具有超強(qiáng)的電磁干擾(EMI)和靜電放電(ESD)抗擾特性,工作溫度范圍為-20°C至+70°C。


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