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AC-DC電源單元(PSU)功率WCSP器件的溫度降低了3°C

發(fā)布時間:2021/9/28 8:00:29 訪問次數(shù):129

消耗的大部分電力都供應(yīng)給某種形式的AC-DC 電源單元(PSU),這意味著它們的能效在運行成本和影響環(huán)境的排放方面很重要。

在最簡單的層面上,能效是從電網(wǎng)汲取的功率與提供給負載的有用功率之比。

此外,新的能效標準規(guī)定了在更廣泛的工作功率范圍內(nèi)的能效水平。

例如,80 PLUS®計劃提倡在20%和100%之間的負載下達到80%的能效,而最高級別(被稱為 "80 Titanium標準")規(guī)定在10%的負載下能效超過90%,在100%的負載下能效超過94%。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:600 VId-連續(xù)漏極電流:20.2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:190 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.5 VQg-柵極電荷:63 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:151 W通道模式:Enhancement商標名:CoolMOS封裝:Tube商標:Infineon Technologies配置:Single高度:21.1 mm長度:16.13 mm產(chǎn)品類型:MOSFET系列:CoolMOS C6工廠包裝數(shù)量:30子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel寬度:5.21 mm零件號別名:SP000621160 IPW6R19C6XK IPW60R190C6FKSA1單位重量:6 g

由于結(jié)到頂部特性參數(shù)值非常低——兩種封裝的Ψ JT = 0.5-0.7°C/W——您可以假設(shè)結(jié)溫大致等于外殼溫度。結(jié)果表明,與標準 WCSP 器件相比,功率 WCSP 器件的溫度降低了 3°C,同時考慮器件和印刷電路板 (PCB) 布局解決方案。

TPS62088YWC 功率 WCSP 版本在通過將輪廓高度從 0.5 毫米降低到 0.3 毫米來提高功率密度的同時,使您能夠通過更大的凸塊結(jié)構(gòu)改善向 PCB 的熱傳遞,從而優(yōu)化系統(tǒng)的熱性能。

當(dāng)然,設(shè)計您的應(yīng)用以獲得最佳熱性能意味著還要注意系統(tǒng)的其他方面。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)


消耗的大部分電力都供應(yīng)給某種形式的AC-DC 電源單元(PSU),這意味著它們的能效在運行成本和影響環(huán)境的排放方面很重要。

在最簡單的層面上,能效是從電網(wǎng)汲取的功率與提供給負載的有用功率之比。

此外,新的能效標準規(guī)定了在更廣泛的工作功率范圍內(nèi)的能效水平。

例如,80 PLUS®計劃提倡在20%和100%之間的負載下達到80%的能效,而最高級別(被稱為 "80 Titanium標準")規(guī)定在10%的負載下能效超過90%,在100%的負載下能效超過94%。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:600 VId-連續(xù)漏極電流:20.2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:190 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.5 VQg-柵極電荷:63 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:151 W通道模式:Enhancement商標名:CoolMOS封裝:Tube商標:Infineon Technologies配置:Single高度:21.1 mm長度:16.13 mm產(chǎn)品類型:MOSFET系列:CoolMOS C6工廠包裝數(shù)量:30子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel寬度:5.21 mm零件號別名:SP000621160 IPW6R19C6XK IPW60R190C6FKSA1單位重量:6 g

由于結(jié)到頂部特性參數(shù)值非常低——兩種封裝的Ψ JT = 0.5-0.7°C/W——您可以假設(shè)結(jié)溫大致等于外殼溫度。結(jié)果表明,與標準 WCSP 器件相比,功率 WCSP 器件的溫度降低了 3°C,同時考慮器件和印刷電路板 (PCB) 布局解決方案。

TPS62088YWC 功率 WCSP 版本在通過將輪廓高度從 0.5 毫米降低到 0.3 毫米來提高功率密度的同時,使您能夠通過更大的凸塊結(jié)構(gòu)改善向 PCB 的熱傳遞,從而優(yōu)化系統(tǒng)的熱性能。

當(dāng)然,設(shè)計您的應(yīng)用以獲得最佳熱性能意味著還要注意系統(tǒng)的其他方面。


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