消耗的大部分電力都供應(yīng)給某種形式的AC-DC 電源單元(PSU)，這意味著它們的能效在運行成本和影響環(huán)境的排放方面很重要。

在最簡單的層面上，能效是從電網(wǎng)汲取的功率與提供給負(fù)載的有用功率之比。

此外，新的能效標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在更廣泛的工作功率范圍內(nèi)的能效水平。

例如，80 PLUS®計劃提倡在20%和100%之間的負(fù)載下達(dá)到80%的能效，而最高級別（被稱為 "80 Titanium標(biāo)準(zhǔn)"）規(guī)定在10%的負(fù)載下能效超過90%，在100%的負(fù)載下能效超過94%。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-247-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:600 VId-連續(xù)漏極電流:20.2 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:190 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:3.5 VQg-柵極電荷:63 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:151 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:CoolMOS封裝:Tube商標(biāo):Infineon Technologies配置:Single高度:21.1 mm長度:16.13 mm產(chǎn)品類型:MOSFET系列:CoolMOS C6工廠包裝數(shù)量:30子類別:MOSFETs晶體管類型:1 N-Channel寬度:5.21 mm零件號別名:SP000621160 IPW6R19C6XK IPW60R190C6FKSA1單位重量:6 g

TPS62088YWC 功率 WCSP 版本在通過將輪廓高度從 0.5 毫米降低到 0.3 毫米來提高功率密度的同時，使您能夠通過更大的凸塊結(jié)構(gòu)改善向 PCB 的熱傳遞，從而優(yōu)化系統(tǒng)的熱性能。

當(dāng)然，設(shè)計您的應(yīng)用以獲得最佳熱性能意味著還要注意系統(tǒng)的其他方面。

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