人工智能支持和高功率的MCU和融合處理器充電緩慢的問題
發(fā)布時間:2021/9/28 12:31:51 訪問次數:251
這兩個系列滿足了對可擴展設備的需求，這些設備集成了AI/ML加速、多層安全、LTE Cat-M1和NB-IoT連接，以及GNSS定位。這些部件還集成了足夠的內存，以支持當今的物聯網產品的設計，無論處理需要在本地還是在云端進行。
處理器具有下一代智能城市、互聯基礎設施、資產跟蹤、醫(yī)療保健設備和可穿戴設備所需的功能集。
制造商:Vishay 產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細信息 產品類型:TVS Diodes 極性:Bidirectional 工作電壓:30.8 V 通道數量:1 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA-2 擊穿電壓:36 V 鉗位電壓:49.9 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):600 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:- Ipp - 峰值脈沖電流:12 A 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:P6SMB 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Vishay General Semiconductor 工廠包裝數量:750 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商標名:TransZorb 單位重量:93 mg
固態(tài)電池低溫充電技術。固態(tài)電池指的是鋰電池的負極采用金屬鋰，取代含有鋰離子的電解液、聚合物材質。這項技術能夠顯著提高電池的能量密度，但是有著制造難度大、充電不易等缺陷。
具體來看，這項技術去除了鋰電池負極的導電材料和粘合劑，使用直徑約為 5 微米的硅顆粒進行替代，以克服常溫下充電緩慢的問題。
在經過 500 次循環(huán)之后，這種原型電池剩余容量依舊高于 80%，同時這種固態(tài)電池的能量密度比現有產品高 40% 以上。
這兩個系列滿足了對可擴展設備的需求，這些設備集成了AI/ML加速、多層安全、LTE Cat-M1和NB-IoT連接，以及GNSS定位。這些部件還集成了足夠的內存，以支持當今的物聯網產品的設計，無論處理需要在本地還是在云端進行。
處理器具有下一代智能城市、互聯基礎設施、資產跟蹤、醫(yī)療保健設備和可穿戴設備所需的功能集。
制造商:Vishay 產品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細信息 產品類型:TVS Diodes 極性:Bidirectional 工作電壓:30.8 V 通道數量:1 Channel 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA-2 擊穿電壓:36 V 鉗位電壓:49.9 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):600 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:- Ipp - 峰值脈沖電流:12 A 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:P6SMB 封裝:Reel 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 商標:Vishay General Semiconductor 工廠包裝數量:750 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 商標名:TransZorb 單位重量:93 mg
固態(tài)電池低溫充電技術。固態(tài)電池指的是鋰電池的負極采用金屬鋰，取代含有鋰離子的電解液、聚合物材質。這項技術能夠顯著提高電池的能量密度，但是有著制造難度大、充電不易等缺陷。
具體來看，這項技術去除了鋰電池負極的導電材料和粘合劑，使用直徑約為 5 微米的硅顆粒進行替代，以克服常溫下充電緩慢的問題。
在經過 500 次循環(huán)之后，這種原型電池剩余容量依舊高于 80%，同時這種固態(tài)電池的能量密度比現有產品高 40% 以上。
相關技術資料- 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應用前景簡述
- 7-18最新一代低功耗內存LPDDR6標JESD209-6
- 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標準應用探究
- 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征
- 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1
- 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅動器
- 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應用詳情
- 7-17業(yè)界首款超以太網和 UALink IP 解決方案
- 7-17NVLink 和 NVSwitch 關鍵技術參數探究
- 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構應用詳解
- 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述
- 7-174-20MA信號調節(jié)器技術參數設計
公網安備44030402000607
