總線引腳在總線側(cè)受到±10kV系統(tǒng)級ESD保護(hù)具有故障安全電路
發(fā)布時間:2023/12/25 8:53:54 訪問次數(shù):21
NSiP83086是一款高可靠性隔離式半/全雙工RS-485收發(fā)器(用作半雙工時,只需將B和Z,A和Y管腳相連),集成的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器使用片上變壓器可提供高達(dá)500mW的功率輸出功率,反饋PWM信號由基于Novosense電容隔離技術(shù)的數(shù)字隔離器發(fā)送到初級側(cè)。
NSiP83086的總線引腳在總線側(cè)受到±10kV系統(tǒng)級ESD的保護(hù),且具有故障安全電路,可確保當(dāng)接收器輸入為開路或短路時接收器輸出邏輯高電平。
設(shè)備具有1/8單位負(fù)載接收器輸入阻抗,允許總線上多達(dá)256個收發(fā)器。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:16位微控制器 - MCU 系列: 封裝:Tray 商標(biāo):Renesas Electronics 高度:3.05 mm 長度:20 mm 濕度敏感性:Yes 處理器系列:M16C/60 產(chǎn)品類型:16-bit Microcontrollers - MCU 66 子類別:Microcontrollers - MCU 寬度:14 mm
雙端口RAM的最大特點是存儲數(shù)據(jù)共享。設(shè)計時可選用IDT公司的IDT7133,這是一種高速2KX16位雙端口靜態(tài)RAM,具有高速存取、低功耗等特點。
工業(yè)級芯片的最快訪問時間只需25ns。通過片選CE的控制,IDT7133可以工作在省電模式下。
通過使用IDT公司先進(jìn)的CMOS技術(shù),在典型的工作條件下,它的功耗僅為1150mW,而且還可以通過連接電池達(dá)到數(shù)據(jù)保護(hù)的目的,電池的電壓僅為2V。
這樣組成的雙端口RAM可以全速運行,而且無需任何額外的附加邏輯。
NSiP83086是一款高可靠性隔離式半/全雙工RS-485收發(fā)器(用作半雙工時,只需將B和Z,A和Y管腳相連),集成的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器使用片上變壓器可提供高達(dá)500mW的功率輸出功率,反饋PWM信號由基于Novosense電容隔離技術(shù)的數(shù)字隔離器發(fā)送到初級側(cè)。
NSiP83086的總線引腳在總線側(cè)受到±10kV系統(tǒng)級ESD的保護(hù),且具有故障安全電路,可確保當(dāng)接收器輸入為開路或短路時接收器輸出邏輯高電平。
設(shè)備具有1/8單位負(fù)載接收器輸入阻抗,允許總線上多達(dá)256個收發(fā)器。

制造商:Renesas Electronics 產(chǎn)品種類:16位微控制器 - MCU 系列: 封裝:Tray 商標(biāo):Renesas Electronics 高度:3.05 mm 長度:20 mm 濕度敏感性:Yes 處理器系列:M16C/60 產(chǎn)品類型:16-bit Microcontrollers - MCU 66 子類別:Microcontrollers - MCU 寬度:14 mm
雙端口RAM的最大特點是存儲數(shù)據(jù)共享。設(shè)計時可選用IDT公司的IDT7133,這是一種高速2KX16位雙端口靜態(tài)RAM,具有高速存取、低功耗等特點。
工業(yè)級芯片的最快訪問時間只需25ns。通過片選CE的控制,IDT7133可以工作在省電模式下。
通過使用IDT公司先進(jìn)的CMOS技術(shù),在典型的工作條件下,它的功耗僅為1150mW,而且還可以通過連接電池達(dá)到數(shù)據(jù)保護(hù)的目的,電池的電壓僅為2V。
這樣組成的雙端口RAM可以全速運行,而且無需任何額外的附加邏輯。
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