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每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗320W模塊具有主動PFC功能

發(fā)布時間:2021/9/29 17:43:15 訪問次數(shù):266

LCW系列的輸入電壓范圍為85至305VAC,滿足全球監(jiān)管要求,適用于100VAC至277VAC的額定輸入,150W、200W和320W模塊具有主動PFC功能。

應(yīng)用范圍包括輔助電源、安全裝置、照明控制、智能家居或辦公系統(tǒng),以及票務(wù)和自動售貨機。

LCW系列具有-30°C至+70°C的超寬工作溫度范圍,溫度達到+50°C時可提供全額定功率, 在+70°C時線性降額至60%。LCW系列采用自然對流冷卻,功率最高可達到200W,而更高功率的LCW320系列采用集成溫控冷卻風(fēng)扇,可降低噪音。

制造商: Renesas Electronics

產(chǎn)品種類: 功率因數(shù)校正 - PFC

RoHS: 詳細信息

開關(guān)頻率: 62 kHz

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-14

封裝: Reel

商標(biāo): Renesas / Intersil

高度: 0 mm

長度: 8.7 mm

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品: PFC Controllers

產(chǎn)品類型: PFC - Power Factor Correction

系列: ISL6731B

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: PMIC - Power Management ICs

寬度: 3.9 mm

單位重量: 130 mg

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。

這兩者結(jié)合起來就提供了寬禁帶技術(shù)的全部優(yōu)勢——可實現(xiàn)高速和低損耗以及高溫工作,同時還可保持簡單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動,并具有集成的ESD保護。

這些優(yōu)勢可通過品質(zhì)因數(shù)(FoM)進行量化,例如RDS(on)×A,這個指標(biāo)衡量了每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗。在這一指標(biāo)上,第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

LCW系列的輸入電壓范圍為85至305VAC,滿足全球監(jiān)管要求,適用于100VAC至277VAC的額定輸入,150W、200W和320W模塊具有主動PFC功能。

應(yīng)用范圍包括輔助電源、安全裝置、照明控制、智能家居或辦公系統(tǒng),以及票務(wù)和自動售貨機。

LCW系列具有-30°C至+70°C的超寬工作溫度范圍,溫度達到+50°C時可提供全額定功率, 在+70°C時線性降額至60%。LCW系列采用自然對流冷卻,功率最高可達到200W,而更高功率的LCW320系列采用集成溫控冷卻風(fēng)扇,可降低噪音。

制造商: Renesas Electronics

產(chǎn)品種類: 功率因數(shù)校正 - PFC

RoHS: 詳細信息

開關(guān)頻率: 62 kHz

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 125 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-14

封裝: Reel

商標(biāo): Renesas / Intersil

高度: 0 mm

長度: 8.7 mm

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品: PFC Controllers

產(chǎn)品類型: PFC - Power Factor Correction

系列: ISL6731B

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: PMIC - Power Management ICs

寬度: 3.9 mm

單位重量: 130 mg

UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓撲結(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個SiC JFET并將之與一個硅MOSFET封裝在一起。

這兩者結(jié)合起來就提供了寬禁帶技術(shù)的全部優(yōu)勢——可實現(xiàn)高速和低損耗以及高溫工作,同時還可保持簡單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動,并具有集成的ESD保護。

這些優(yōu)勢可通過品質(zhì)因數(shù)(FoM)進行量化,例如RDS(on)×A,這個指標(biāo)衡量了每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗。在這一指標(biāo)上,第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達到市場最低值。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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