牽引逆變器應(yīng)用成熟設(shè)計(jì)通常為IGBT與二極管的形式達(dá)到200kW的設(shè)計(jì)。通過(guò)本次發(fā)布的6mΩ器件單管6顆并聯(lián)方式，在200kW下能夠減少3.1倍的整體功率損耗。

當(dāng)然，實(shí)際上電動(dòng)車(chē)在大部分運(yùn)行中都是輕載到中載之間，6mΩ器件在輕載中損失能夠減少5-6倍。

這是因?yàn)镮GBT本身存在膝點(diǎn)電壓，SiCFET則沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題，有負(fù)載條件下切換損失較低。

反之對(duì)比市面上其他SiCFET牽引逆變器產(chǎn)品，UnitedSiC在給定面積下可提供更低的傳導(dǎo)損耗，或在相同損耗下提供更小的芯片面積。

制造商: ISSI

產(chǎn)品種類(lèi): 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

RoHS: 詳細(xì)信息

存儲(chǔ)容量: 8 Mbit

組織: 512 k x 16

訪問(wèn)時(shí)間: 10 ns

接口類(lèi)型: Parallel

電源電壓-最大: 3.6 V

電源電壓-最小: 3.135 V

電源電流—最大值: 110 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-44

封裝: Tray

商標(biāo): ISSI

數(shù)據(jù)速率: SDR

濕度敏感性: Yes

端口數(shù)量: 1

產(chǎn)品類(lèi)型: SRAM

系列: IS61LV51216

工廠包裝數(shù)量: 135

子類(lèi)別: Memory & Data Storage

類(lèi)型: Asynchronous

電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率等級(jí)通常非常大，同時(shí)終端用戶(hù)希望將動(dòng)力電池電壓提高到500V。通過(guò)本次750V全新產(chǎn)品的發(fā)布，能夠簡(jiǎn)單滿足客戶(hù)設(shè)計(jì)需求，且擁有一定的設(shè)計(jì)裕量。

6mΩ、9mΩ、11mΩ產(chǎn)品可以進(jìn)行不同的并聯(lián)設(shè)計(jì)，來(lái)針對(duì)不同功率等級(jí)需求。

這些組件結(jié)合了我們工業(yè)客戶(hù)所期望的高引腳數(shù)和非常有吸引力的價(jià)格，同時(shí)也保持了Harwin 眾所周知的高水平構(gòu)建質(zhì)量。