特性功率級(jí)承受高達(dá)36V浪涌電壓輸入濾波器降低反射紋波
發(fā)布時(shí)間:2021/10/1 9:51:29 訪問次數(shù):206
3D NAND閃存芯片的制造之后,紫光以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)將進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域,現(xiàn)在看并非空穴來風(fēng)。
三星、美光等都擁有 NAND+DRAM 技術(shù),2018 年 NAND 和 DRAM 的市場(chǎng)占據(jù)半導(dǎo)體總份額的 34%,相較 2017 年同比增長(zhǎng)分別為 77%和 52%。NAND+DRAM 不僅擁有存儲(chǔ)領(lǐng)域最大的市場(chǎng),也是存儲(chǔ)企業(yè)技術(shù)實(shí)力的衡量和體現(xiàn)。
紫光進(jìn)軍存儲(chǔ)領(lǐng)域的決心以及投入力度是其在 DRAM 領(lǐng)域拓展的保證。一方面,以核心優(yōu)勢(shì)技術(shù)切入,并逐步進(jìn)入其他存儲(chǔ)領(lǐng)域,做大做強(qiáng),是存儲(chǔ)企業(yè)的普遍發(fā)展思路。
兩個(gè)隔離式輸出的輸出電壓為 17.5V，且最大負(fù)載電流均為 100mA。
特性功率級(jí)可承受高達(dá)36V的浪涌電壓輸入濾波器可降低反射紋波兩個(gè)單獨(dú)隔離的輸出可擴(kuò)大應(yīng)用范圍初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)和集成式FET可縮減物料清單.
另一方面，分析師認(rèn)為PC製造商減少採(cǎi)購(gòu)記憶體，可能是這段時(shí)間內(nèi)記憶體銷量疲軟的開端。Wedbush分析師Matthew Bryson指出，美光遭遇的挑戰(zhàn)是記憶體產(chǎn)業(yè)有可能即將面對(duì)長(zhǎng)期銷量減少的狀況，或者將面對(duì)較為溫和的需求下修。
(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）
3D NAND閃存芯片的制造之后,紫光以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)將進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域,現(xiàn)在看并非空穴來風(fēng)。
三星、美光等都擁有 NAND+DRAM 技術(shù),2018 年 NAND 和 DRAM 的市場(chǎng)占據(jù)半導(dǎo)體總份額的 34%,相較 2017 年同比增長(zhǎng)分別為 77%和 52%。NAND+DRAM 不僅擁有存儲(chǔ)領(lǐng)域最大的市場(chǎng),也是存儲(chǔ)企業(yè)技術(shù)實(shí)力的衡量和體現(xiàn)。
紫光進(jìn)軍存儲(chǔ)領(lǐng)域的決心以及投入力度是其在 DRAM 領(lǐng)域拓展的保證。一方面,以核心優(yōu)勢(shì)技術(shù)切入,并逐步進(jìn)入其他存儲(chǔ)領(lǐng)域,做大做強(qiáng),是存儲(chǔ)企業(yè)的普遍發(fā)展思路。
兩個(gè)隔離式輸出的輸出電壓為 17.5V，且最大負(fù)載電流均為 100mA。
特性功率級(jí)可承受高達(dá)36V的浪涌電壓輸入濾波器可降低反射紋波兩個(gè)單獨(dú)隔離的輸出可擴(kuò)大應(yīng)用范圍初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)和集成式FET可縮減物料清單.
另一方面，分析師認(rèn)為PC製造商減少採(cǎi)購(gòu)記憶體，可能是這段時(shí)間內(nèi)記憶體銷量疲軟的開端。Wedbush分析師Matthew Bryson指出，美光遭遇的挑戰(zhàn)是記憶體產(chǎn)業(yè)有可能即將面對(duì)長(zhǎng)期銷量減少的狀況，或者將面對(duì)較為溫和的需求下修。
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