SC301IoT電學(xué)串?dāng)_Blooming低至15%具有高性能時(shí)鐘管理電路
發(fā)布時(shí)間:2021/10/2 21:38:37 訪問次數(shù):261
物聯(lián)網(wǎng)攝像頭往往需要應(yīng)對(duì)全天候的光線變化挑戰(zhàn),SC301IoT采用思特威PixGain技術(shù),較前代產(chǎn)品而言,其滿阱電子提升了124%,動(dòng)態(tài)范圍提升了5dB,同時(shí)可支持高達(dá)100dB的行交疊雙重曝光寬動(dòng)態(tài)(StaggeredHDR),保障了強(qiáng)光下亮部畫面與逆光下暗部畫面的細(xì)節(jié)還原。
而面向智能可視門鈴應(yīng)用中的逆光場(chǎng)景,SC301IoT的電學(xué)串?dāng)_Blooming低至15%,有效減少拍攝中產(chǎn)生的眩光影響,實(shí)現(xiàn)清晰的高清視頻影像。
針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用功耗敏感的特點(diǎn),思特威致力開發(fā)出專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的CIS產(chǎn)品。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 135 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 20 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 17 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 60 ns
典型接通延遲時(shí)間: 34 ns
零件號(hào)別名: SP000407126 IPP1N1S35XK IPP100N10S305AKSA1
單位重量: 2 g
XC2VPX20和XC2VPX70兩種型號(hào),分別有22K和74K邏輯單元以及1.5和5.5Mb 區(qū)塊RAM.
嵌入1或2個(gè)PowerPC 405 RISC處理器,其功耗低到0.9mW/MHz,邏輯單元有22032/74448個(gè),18X18位乘法器區(qū)塊88/308個(gè),具有高性能時(shí)鐘管理電路.
很適合用在5/6/10Gbps背板,10G以太網(wǎng)和OC-48SONET.
用于增加信號(hào)完整性的可編接收器均衡;內(nèi)置的10G核功能區(qū)塊,包括有10G以太網(wǎng)(10GBase-R)和XAUI(10GBase-X).
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
物聯(lián)網(wǎng)攝像頭往往需要應(yīng)對(duì)全天候的光線變化挑戰(zhàn),SC301IoT采用思特威PixGain技術(shù),較前代產(chǎn)品而言,其滿阱電子提升了124%,動(dòng)態(tài)范圍提升了5dB,同時(shí)可支持高達(dá)100dB的行交疊雙重曝光寬動(dòng)態(tài)(StaggeredHDR),保障了強(qiáng)光下亮部畫面與逆光下暗部畫面的細(xì)節(jié)還原。
而面向智能可視門鈴應(yīng)用中的逆光場(chǎng)景,SC301IoT的電學(xué)串?dāng)_Blooming低至15%,有效減少拍攝中產(chǎn)生的眩光影響,實(shí)現(xiàn)清晰的高清視頻影像。
針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用功耗敏感的特點(diǎn),思特威致力開發(fā)出專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用設(shè)計(jì)的CIS產(chǎn)品。
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.8 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 135 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標(biāo)名: OptiMOS
封裝: Tube
配置: Single
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 20 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 17 ns
工廠包裝數(shù)量: 50
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 60 ns
典型接通延遲時(shí)間: 34 ns
零件號(hào)別名: SP000407126 IPP1N1S35XK IPP100N10S305AKSA1
單位重量: 2 g
XC2V20和XC2V70兩種型號(hào),分別有22K和74K邏輯單元以及1.5和5.5Mb 區(qū)塊RAM.
嵌入1或2個(gè)PowerPC 405 RISC處理器,其功耗低到0.9mW/MHz,邏輯單元有22032/74448個(gè),18X18位乘法器區(qū)塊88/308個(gè),具有高性能時(shí)鐘管理電路.
很適合用在5/6/10Gbps背板,10G以太網(wǎng)和OC-48SONET.
用于增加信號(hào)完整性的可編接收器均衡;內(nèi)置的10G核功能區(qū)塊,包括有10G以太網(wǎng)(10GBase-R)和XAUI(10GBase-X).
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