TPS54350集成了高邊的MOSFET和可選擇的低邊外接MOSFET的柵極驅(qū)動器.器件還有高性能的電壓誤差放大器,它能在瞬變狀態(tài)下最大化器件的性能以及在選擇輸出濾波器電感和電容的靈活性.

開關(guān)頻率可以是固定的250kHz或500kHz或可調(diào)至700kHz,以降低無源元件的尺寸.

該產(chǎn)品在6mm × 6mm的40引腳芯片中集成了四個由I2C控制的150mA LED背光驅(qū)動器以及一個四輸出薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD) 偏置電源，可幫助工程師設計出空間占用更小的汽車儀表板、中控屏和導航顯示器。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 80 A

Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

長度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.4 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 22 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 23 ns

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 75 ns

典型接通延遲時間: 19 ns

零件號別名: SP000219067 IPP80N06S2LH5AKSA1

單位重量: 2 g

嵌入了8或20通道高性能RocketIO X串行收發(fā)器,每通道工作從2.488到10.3125Gbps;20X和16X時鐘和數(shù)據(jù)通路;8B/10B或64B/66B編碼;SONETOC-48 抖動兼容.

它還有通道連接,幾種有調(diào)諧特性的性能,包括有預補償電路,接收器均衡,差分電壓擺幅和片內(nèi)終止.RocketIO X收發(fā)器能適應系統(tǒng)的要求,能通過內(nèi)部配置端口動態(tài)地編程.

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