最小金屬電流感測電阻 - PA0100 (01005尺寸, 0.4mm x 0.2mm)。

國巨公司多年來致力于產(chǎn)品及技術(shù)之創(chuàng)新，此新產(chǎn)品的問世突顯出其領(lǐng)先業(yè)界的研發(fā)能力，實現(xiàn)對客戶小尺寸需求的承諾。

國巨設(shè)計特殊微化技術(shù)制程，阻值低至10 ~ 20毫歐姆，可兼?zhèn)涓呔?1%)、低電阻溫度系數(shù)(TCR 300ppm/°C)、低熱電動勢(thermal EMF) 等特性。

此外PA0100 jumper作為金屬跳線使用，最大額定電流為8安培。

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 詳細(xì)信息技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:20 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:15 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:53 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:QFET封裝:Tube配置:Single高度:16.3 mm長度:10.67 mm系列:FQP20N06晶體管類型:1 N-Channel類型:MOSFET寬度:4.7 mm商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild正向跨導(dǎo) - 最小值:12 S下降時間:20 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:45 ns工廠包裝數(shù)量:1000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:20 ns典型接通延遲時間:5 ns零件號別名:FQP20N06_NL單位重量:2 g

超星光級新產(chǎn)品SC850SL正是思特威在超低照成像技術(shù)上的成果展現(xiàn)，除800萬4K高分辨率外，Stack BSI+RS架構(gòu)芯片設(shè)計大幅提升了產(chǎn)品的靈敏度與暗光成像性能，同時我們也在不斷追求更優(yōu)異的近紅外性能.

機(jī)械精密加工工藝已無法滿足微小化與低精密公差規(guī)格需求，國巨利用半導(dǎo)體多項工藝制程完成開發(fā)實現(xiàn)微小化高精密電流感測器,微小尺寸精密公差是此制程的挑戰(zhàn)。

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