IBM開發(fā)的晶體管將會(huì)使通信芯片進(jìn)行快速負(fù)載接通
發(fā)布時(shí)間:2021/10/11 12:17:09 訪問次數(shù):99
速度為350GHz的鍺硅晶體管。這種新型晶體管的性能比現(xiàn)有的產(chǎn)品高近300%,比先前報(bào)道過的硅晶體管快65%。手指甲大小的微芯片能有幾百萬(wàn)個(gè)晶體管。
IBM開發(fā)的晶體管將會(huì)使通信芯片在大約兩年內(nèi)速度高于150GHz。該晶體管也期望能大大地降低通信系統(tǒng)和其它電子產(chǎn)品的功耗和成本。
IBM將會(huì)在2002年十二月9-11日的國(guó)際電子器件會(huì)議詳細(xì)描述該晶體管的技術(shù),論文題目為"SiGe HBT截止頻率接近300GHz。
制造商:Micro Commercial Components (MCC) 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:18 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA-2 Pd-功率耗散:5 W 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):- 齊納電流:0.5 uA Zz - 齊納阻抗:2.5 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測(cè)試電流:65 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.41 mm 長(zhǎng)度:4.75 mm 寬度:3.94 mm 商標(biāo):Micro Commercial Components (MCC) Ir - 反向電流 :0.5 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:1.2 V 單位重量:93 mg
高壓光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器不需要外部電源設(shè)備,但可以在幾十微秒量級(jí)進(jìn)行快速負(fù)載接通。觀看視頻。
CPC1596 570V光隔離負(fù)載偏壓柵極驅(qū)動(dòng)器 非常適合廣泛的電力電子應(yīng)用,包括:
工業(yè)控制
自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)
HVAC控制
醫(yī)療器械
物聯(lián)網(wǎng)
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
速度為350GHz的鍺硅晶體管。這種新型晶體管的性能比現(xiàn)有的產(chǎn)品高近300%,比先前報(bào)道過的硅晶體管快65%。手指甲大小的微芯片能有幾百萬(wàn)個(gè)晶體管。
IBM開發(fā)的晶體管將會(huì)使通信芯片在大約兩年內(nèi)速度高于150GHz。該晶體管也期望能大大地降低通信系統(tǒng)和其它電子產(chǎn)品的功耗和成本。
IBM將會(huì)在2002年十二月9-11日的國(guó)際電子器件會(huì)議詳細(xì)描述該晶體管的技術(shù),論文題目為"SiGe HBT截止頻率接近300GHz。
制造商:Micro Commercial Components (MCC) 產(chǎn)品種類:穩(wěn)壓二極管 Vz - 齊納電壓:18 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA-2 Pd-功率耗散:5 W 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):- 齊納電流:0.5 uA Zz - 齊納阻抗:2.5 Ohms 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 配置:Single 測(cè)試電流:65 mA 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:2.41 mm 長(zhǎng)度:4.75 mm 寬度:3.94 mm 商標(biāo):Micro Commercial Components (MCC) Ir - 反向電流 :0.5 uA 產(chǎn)品類型:Zener Diodes 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Diodes & Rectifiers Vf - 正向電壓:1.2 V 單位重量:93 mg
高壓光隔離MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器不需要外部電源設(shè)備,但可以在幾十微秒量級(jí)進(jìn)行快速負(fù)載接通。觀看視頻。
CPC1596 570V光隔離負(fù)載偏壓柵極驅(qū)動(dòng)器 非常適合廣泛的電力電子應(yīng)用,包括:
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自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)
HVAC控制
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