晶體管/肖特基二極管組合封裝器件ZX3CD和ZXMxS系列，有N-MOSFET和P-MOSFET以及NPN和PNP雙極管不同版本，封裝尺寸為3x2x0.9mm，比通常的SM8封裝小88%。

雙極器件的指標(biāo)包括有Ic電流在3A到4.5A之間，1A時的飽和壓降VCE(sat)在140和20mV之間和飽和電阻RCE(sat) 在47 和104 mW,額定電壓有12，20和40V三種。

MOSFET的指標(biāo)包括有漏極電流Id在0.3-2A之間，導(dǎo)通電阻RDS(on) 在180 和900 mW之間, 漏源擊穿電壓BVDSS 在0 和40 V之間。

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HSOF-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 75 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V

Qg-柵極電荷: 123 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 391 W

通道模式: Enhancement

封裝: Reel

配置: Single

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時間: 2.8 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 9 ns

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 100 ns

典型接通延遲時間: 28 ns

單位重量: 771.020 mg

價格低于$20的高壓應(yīng)用的DC/DC轉(zhuǎn)換器SIP90，輸出電壓從低于10V到90V，輸出電流高達(dá)1mA。很適合用在雪崩光電二極管偏壓中，它的占位面積僅為29.2x4.06mm,高度為13.97mm。

轉(zhuǎn)換器的輸入電壓從2.7V 到6.7V，可編程電壓從0V到4.5V。

它的波紋電壓小于2 mVp-p，線和負(fù)載調(diào)整分別為0.06% 和0.025%。溫度系數(shù)低于200ppm/度。加電后輸出功率變化每小時小于0.01%。顯在可提供產(chǎn)品。

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