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GB4xxx-LP產(chǎn)品有管式或卷帶式兩種包裝確保同步輸出信號(hào)

發(fā)布時(shí)間:2021/10/12 8:56:47 訪問(wèn)次數(shù):571

新型GB4xxx-LP單端口千兆以太網(wǎng)磁性模塊。這種用于10/100/1000千兆應(yīng)用的超薄結(jié)構(gòu)單通道界面,其厚度不足2.5毫米,是目前市場(chǎng)上首創(chuàng)的產(chǎn)品。

GB4xxx-LP產(chǎn)品有管式或卷帶式兩種包裝,以滿足大批量生產(chǎn)的需要。

該產(chǎn)品可以有利于更微小的移動(dòng)設(shè)備的設(shè)計(jì),例如筆記本電腦、薄型PC機(jī)、PCMCIA卡、航天對(duì)接站和其他薄型以太網(wǎng)設(shè)備。

GB4xxx-LP的超薄結(jié)構(gòu)和精密設(shè)計(jì),有助于設(shè)計(jì)者朝更小更薄的產(chǎn)品設(shè)計(jì)方向邁進(jìn)"。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 130 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 30 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 31 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 59 ns

典型接通延遲時(shí)間: 21 ns

零件號(hào)別名: SP000218874 IPB100N06S205ATMA1

單位重量: 4 g

HAR 39xy傳感器使用鐵氧體雙極磁鐵進(jìn)行高達(dá)360°的角度測(cè)量,同時(shí)還能使用雙極條狀磁鐵進(jìn)行高達(dá)35毫米的線性測(cè)量。

每個(gè)HAR 39xy傳感器包含兩個(gè)相互重疊的獨(dú)立芯片,二者機(jī)械分離且電氣絕緣。

兩個(gè)芯片測(cè)量幾乎相同的磁場(chǎng),從而確保同步輸出信號(hào)。單一封裝的冗余傳感器解決方案的優(yōu)點(diǎn)是減小PCB尺寸和減少焊點(diǎn),從而降低系統(tǒng)成本并增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

HAR 3900和HAR 3930采用小型SSOP16封裝。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

新型GB4xxx-LP單端口千兆以太網(wǎng)磁性模塊。這種用于10/100/1000千兆應(yīng)用的超薄結(jié)構(gòu)單通道界面,其厚度不足2.5毫米,是目前市場(chǎng)上首創(chuàng)的產(chǎn)品。

GB4xxx-LP產(chǎn)品有管式或卷帶式兩種包裝,以滿足大批量生產(chǎn)的需要。

該產(chǎn)品可以有利于更微小的移動(dòng)設(shè)備的設(shè)計(jì),例如筆記本電腦、薄型PC機(jī)、PCMCIA卡、航天對(duì)接站和其他薄型以太網(wǎng)設(shè)備。

GB4xxx-LP的超薄結(jié)構(gòu)和精密設(shè)計(jì),有助于設(shè)計(jì)者朝更小更薄的產(chǎn)品設(shè)計(jì)方向邁進(jìn)"。

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 55 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 130 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 30 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 31 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 59 ns

典型接通延遲時(shí)間: 21 ns

零件號(hào)別名: SP000218874 IPB100N06S205ATMA1

單位重量: 4 g

HAR 39xy傳感器使用鐵氧體雙極磁鐵進(jìn)行高達(dá)360°的角度測(cè)量,同時(shí)還能使用雙極條狀磁鐵進(jìn)行高達(dá)35毫米的線性測(cè)量。

每個(gè)HAR 39xy傳感器包含兩個(gè)相互重疊的獨(dú)立芯片,二者機(jī)械分離且電氣絕緣。

兩個(gè)芯片測(cè)量幾乎相同的磁場(chǎng),從而確保同步輸出信號(hào)。單一封裝的冗余傳感器解決方案的優(yōu)點(diǎn)是減小PCB尺寸和減少焊點(diǎn),從而降低系統(tǒng)成本并增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

HAR 3900和HAR 3930采用小型SSOP16封裝。

(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

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