AD9821僅消耗150mW，使手提設(shè)備的電池壽命更長(zhǎng)。

驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置完備的安全保護(hù)功能，其中，高低邊驅(qū)動(dòng)欠壓鎖定 (UVLO)可以防止功率開關(guān)管在低效率或危險(xiǎn)工況下運(yùn)行.

EVSTDRIVEG600DM開發(fā)板配備一個(gè)STL33N60DM2 內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率開關(guān).

晶體管采用帶有Kelvin驅(qū)動(dòng)源引腳的8mm x 8mm PowerFLAT封裝或者 DPAK 封裝。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V

Id-連續(xù)漏極電流: 15 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 280 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Qg-柵極電荷: 94 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 208 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: CoolMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

系列: CoolMOS C3

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 25 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 20 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 400 ns

典型接通延遲時(shí)間: 70 ns

零件號(hào)別名: IPB9R34C3XT SP000944226 IPB90R340C3ATMA1

單位重量: 4 g

PT6714是TI在整合式電源模塊PT6715之后推出的最新成員。該系列可從5V或3.3V輸入總線，提供高達(dá)13A的1V 至3.3V的輸出電壓，且輸出電壓非常穩(wěn)定，可調(diào)整范圍為+5%/-30%。

與其它分立組件不同的是，PT6714是已通過完整測(cè)試和認(rèn)證的解決方案。

另外，它還可實(shí)現(xiàn)垂直安裝，非常節(jié)省空間。工程師在同樣大小的空間內(nèi)，為系統(tǒng)增加更多功能。

該模塊有表面貼裝、垂直通孔和水平通孔(2.58"x 1.025"x 0.5")三種封裝，ExcaliburTM銅外殼可直接焊至電路板，提供更強(qiáng)的抗振動(dòng)能力，減小電磁干擾。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）