通過富士膠片獨有的技術(shù),LTO9實現(xiàn)了最大容量45TB(未壓縮時18TB),較上一代產(chǎn)品*3增加了50%。

磁帶不僅可以低成本、安全地長期保存大容量數(shù)據(jù),而且在保存數(shù)據(jù)時不需要經(jīng)常通電,所以與硬盤驅(qū)動器(HDD)相比,生命周期中所產(chǎn)生的二氧化碳*4排放減少95%。

故作為大幅降低排放的綠色環(huán)保產(chǎn)品而備受關(guān)注。

本次發(fā)表的LTO9實現(xiàn)了高容量化,伴隨著IoT・DX的發(fā)展,在滿足急劇增加的數(shù)據(jù)存儲需求的同時,也對如何減少二氧化碳排放這一世界性問題做出了貢獻。

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TSON-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:100 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2.1 VQg-柵極電荷:143 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:214 W通道模式:Enhancement商標名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single系列:晶體管類型:1 N-Channel商標:Infineon Technologies正向跨導(dǎo) - 最小值:85 S下降時間:31 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:15 ns5000子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:54 ns典型接通延遲時間:11 ns零件號別名:BSC012N06NS SP001645312單位重量:20 mg

產(chǎn)品的最大額定電流值為100，最大額定電壓值為5。通過采用導(dǎo)電樹脂基電極，可控制因熱沖擊而造成的產(chǎn)品裂紋，并提高了抗機械應(yīng)力(例如：基板應(yīng)變)的耐用性。

TDK正在努力改進用于ADAS的感應(yīng)設(shè)備，并將擴大小型化共模濾波器的產(chǎn)品線，以支持高速差分信號。該系列將于2021年9月開始量產(chǎn)。

片上有6Mb SRAM內(nèi)存，由用戶定義分成三組；14通道零管理費用的DMA控制器；用于無線基礎(chǔ)設(shè)備的增強通信指令，允許TigerSHARC提供完整的基帶處理。

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