R&S VSESIM-VSS受益于R&S公司用于測(cè)試工作電路、模塊和設(shè)備的兩個(gè)成熟軟件，即 R&S WinIQSIM2軟件的信號(hào)生成功能和 R&S VSE 軟件的信號(hào)分析功能。

R&S公司的數(shù)據(jù)采集插件允許在設(shè)計(jì)過程中訪問任意節(jié)點(diǎn)信號(hào)，可以將信號(hào)送至矢量信號(hào)發(fā)生器并應(yīng)用于可用硬件，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)混合硬件/仿真實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)分析。

R&S VSESIM-VSS 的一項(xiàng)重要特色是支持直接數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 技術(shù)，在功率放大器開發(fā)的仿真階段就可以驗(yàn)證線性化效果。

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.58 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 134 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 158 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

長(zhǎng)度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

商標(biāo): Infineon Technologies

下降時(shí)間: 30 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 16 ns

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 30 ns

典型接通延遲時(shí)間: 27 ns

零件號(hào)別名: IPB12N4S42XT SP000764726 IPB120N04S402ATMA1

單位重量: 4 g

基于FS8S0765RC的設(shè)計(jì)不僅享有優(yōu)于離散式MOSFET/控制器或RCC開關(guān)轉(zhuǎn)換器解決方案的性能，還具有占用更少電路板空間，及采用各種保護(hù)電路達(dá)到更高可靠性的優(yōu)勢(shì)。

FS8S0765RC的內(nèi)部特性包括過電壓、過負(fù)載、過電流和過熱關(guān)閉保護(hù)。

器件在待機(jī)模式下(低于2W@265Vac)可進(jìn)入間歇工作模式，并通過減小開關(guān)損耗，大幅度降低功耗。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝）