浓毛老太交欧美老妇热爱乱,蜜臀性色av免费,妺妺窝人体色www看美女,久久久久久久久久久大尺度免费视频,麻豆人妻无码性色av专区

<menu id="45t1i"><tbody id="45t1i"></tbody></menu>

<mark id="45t1i"></mark><sup id="45t1i"><dl id="45t1i"></dl></sup>

<del id="45t1i"><rp id="45t1i"></rp></del>

位置：51電子網(wǎng) » 技術(shù)資料 » 模擬技術(shù)

ESD保護(hù)反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關(guān)元件

發(fā)布時間:2021/10/15 12:25:03 訪問次數(shù):261

為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。

連同面向 65W 至 400W 應(yīng)用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產(chǎn)品為設(shè)計開關(guān)式電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅(qū)動解決方案提供了更多的靈活性。

意法半導(dǎo)體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術(shù)替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進(jìn)程。

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:80 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:6.1 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:66 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:175 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:4.83 mm長度:10.67 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel類型:MOSFET寬度:9.65 mm商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild下降時間:35 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:159 ns800子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:27 ns典型接通延遲時間:12 ns零件號別名:FDB070AN06A0_NL單位重量:4 g

由于集成了ESD保護(hù)，反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關(guān)元件，VK05CFL節(jié)省了成本，空間和設(shè)計時間。

因?yàn)閂K05CFL的工作頻率由外接電容來確定，不需要可飽和的變壓器。

此外，點(diǎn)火頻率，因?yàn)橛韶?fù)載決定，獨(dú)立于工作頻率。用外接幾個低壓元件還能增加預(yù)熱功能。由于在預(yù)熱電路中不需要用正溫度系數(shù)的電阻或高壓電容，VK05CFL增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

這款I(lǐng)PM 具有出色并且簡單易用的控制系統(tǒng)，其中低邊發(fā)射極的引腳可用于相電流監(jiān)控。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

為了更方便的轉(zhuǎn)型到高能效的寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，意法半導(dǎo)體發(fā)布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統(tǒng)封裝，分別面向高達(dá) 45W 和 150W的功率變換應(yīng)用。

連同面向 65W 至 400W 應(yīng)用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4，這兩款新產(chǎn)品為設(shè)計開關(guān)式電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正 (PFC) 和 DC/DC 變換器的工程師選擇合適的氮化鎵 (GaN) 器件和驅(qū)動解決方案提供了更多的靈活性。

意法半導(dǎo)體的 MasterGaN 概念簡化了GaN 寬禁帶功率技術(shù)替代普通硅基MOSFET的發(fā)展進(jìn)程。

制造商:ON Semiconductor產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS: 技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TO-263-3晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:80 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:6.1 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:66 nC最小工作溫度:- 55 C最大工作溫度:+ 175 CPd-功率耗散:175 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single高度:4.83 mm長度:10.67 mm系列:晶體管類型:1 N-Channel類型:MOSFET寬度:9.65 mm商標(biāo):ON Semiconductor / Fairchild下降時間:35 ns產(chǎn)品類型:MOSFET上升時間:159 ns800子類別:MOSFETs典型關(guān)閉延遲時間:27 ns典型接通延遲時間:12 ns零件號別名:FDB070AN06A0_NL單位重量:4 g

由于集成了ESD保護(hù)，反平行的集電極源二極管和三端雙向可控硅開關(guān)元件，VK05CFL節(jié)省了成本，空間和設(shè)計時間。

因?yàn)閂K05CFL的工作頻率由外接電容來確定，不需要可飽和的變壓器。

此外，點(diǎn)火頻率，因?yàn)橛韶?fù)載決定，獨(dú)立于工作頻率。用外接幾個低壓元件還能增加預(yù)熱功能。由于在預(yù)熱電路中不需要用正溫度系數(shù)的電阻或高壓電容，VK05CFL增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

這款I(lǐng)PM 具有出色并且簡單易用的控制系統(tǒng)，其中低邊發(fā)射極的引腳可用于相電流監(jiān)控。

(素材來源：eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝）

上一篇：SiC電源模塊的彈性6通道SOI柵極驅(qū)動器可以避免瞬態(tài)損壞

上一篇：HomePlugTM 1.0功率線和HomePNATM電話線半導(dǎo)體解決方案

相關(guān)技術(shù)資料: 7-18STGWA30IH160DF2 IGBT應(yīng)用前景簡述; 7-18最新一代低功耗內(nèi)存LPDDR6標(biāo)JESD209-6; 7-18EMI CISPR25 CLASS 5標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用探究; 7-18Android 和Linux OS優(yōu)勢特征; 7-18汽車混合信號微控制器MSPM0G351X-Q1; 7-184A，6A 3KVRMS雙通道隔離的閘門驅(qū)動器; 7-17第二代儲能電芯加速替代280Ah電芯應(yīng)用詳情; 7-17業(yè)界首款超以太網(wǎng)和 UALink IP 解決方案; 7-17NVLink 和 NVSwitch 關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)探究; 7-17“Scale Up + Scale Out” 混合架構(gòu)應(yīng)用詳解; 7-17高速速度比（2.5MHz）RRIO操作放大器簡述; 7-174-20MA信號調(diào)節(jié)器技術(shù)參數(shù)設(shè)計

相關(guān)IC型號: 98FX9210-A1-BCN-C000; PDMB300A6C; IDT6116SA55TDM; ADC08031CIN; PTZ7.5A; CA311; EPM7128SLC84-20; FS7KM-14A; AD575JD; IRF820S

熱門點(diǎn)擊

推薦技術(shù)資料

泰克新發(fā)布的DSA830: 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實(shí)現(xiàn)時域和頻域分析，DS... [詳細(xì)]

版權(quán)所有:51dzw.COM
深圳服務(wù)熱線：13751165337 13692101218
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)

公網(wǎng)安備44030402000607
深圳市碧威特網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司
付款方式

復(fù)制成功！